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MOS 管關(guān)斷緩慢：恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點的發(fā)熱困境及解決方案
在電力電子電路中，MOS 管作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)特性直接決定了電路的效率、穩(wěn)定性與可靠性。然而在實際應(yīng)用中，“關(guān)斷緩慢” 引發(fā)的嚴重發(fā)熱問題屢見不鮮，尤其當 MOS 管在關(guān)斷過程中長時間徘徊于恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點時，功率損耗會急劇上升，不僅影響器件壽命，還可能導(dǎo)致電路故障。本文將深入剖析這一現(xiàn)象的本質(zhì)、成因，并提出針對性的優(yōu)化方案，為工程實踐提供參考。
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快恢復(fù)二極管在電路中加載過熱原因是什么?
在現(xiàn)代電子電路中，快恢復(fù)二極管憑借其快速的開關(guān)特性，在整流、續(xù)流、箝位等多種電路應(yīng)用場景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，在實際使用過程中，快恢復(fù)二極管有時會出現(xiàn)加載過熱的現(xiàn)象，這不僅影響二極管自身的性能和壽命，還可能對整個電路的穩(wěn)定性和可靠性造成嚴重威脅。深入探究快恢復(fù)二極管在電路中加載過熱的原因，對于保障電路正常運行、優(yōu)化電路設(shè)計具有重要意義。
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IGBT常用的過流保護措施有哪些？IGBT開關(guān)特性解讀
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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