一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

一、IGBT的開關(guān)特性解讀

IGBT的開關(guān)機(jī)理與VDMOS完全一樣，由MOS柵來控制其開通和關(guān)斷。所不同的是IGBT比VDMOS在漏極多了一個(gè)PN結(jié)，在導(dǎo)通過程中有少子空穴的參與，這就是所謂的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。這一效應(yīng)使得IGBT在相同的耐壓下的通態(tài)壓降比VDMOS的低。由于在漂移區(qū)內(nèi)空穴的存在，在IGBT關(guān)斷時(shí)，這些空穴必須從漂移區(qū)內(nèi)消失，與VDMOS的多子器件相比，IGBT雙極器件的關(guān)斷需要更長的時(shí)間。

各個(gè)廠家對(duì)于Eon和Eoff的起始標(biāo)準(zhǔn)可能有所差異，對(duì)比時(shí)，最好進(jìn)行統(tǒng)一，當(dāng)然最好能夠進(jìn)行實(shí)際的實(shí)驗(yàn)對(duì)比，這樣較為科學(xué)和可靠。

IGBT的主要開關(guān)參數(shù)：

①開通時(shí)間 (td(on)+tr) —器件從阻斷狀態(tài)到開通狀態(tài)所需要的時(shí) 間

②關(guān)斷時(shí)間 (td(off)+tf) —器件從開通狀態(tài)到阻斷狀態(tài)所需要的時(shí) 間

③開通能量(Eon)—器件在開通時(shí)的能量損耗

④關(guān)斷能量(Eoff)—器件在關(guān)斷時(shí)的能量損耗

二、IGBT常用的過流保護(hù)措施

IGBT發(fā)生短路時(shí)，電流上升至4倍額定電流以上，最終IGBT是要將這個(gè)電流關(guān)斷掉的，這時(shí)的電流的數(shù)值比平常變流器額定工作時(shí)的電流高了很多，所以此時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰也是非常高的。為了防止電壓尖峰損壞IGBT，還需要引入我們昨天聊過的電路——有源鉗位電路，但并不是所有的驅(qū)動(dòng)電路都需要配備有源鉗位功能，容量比較大的IGBT，就比較有必要配置此電路。

下面我們簡單地介紹下常用的過流和保護(hù)措施：

1、小功率IGBT模塊

對(duì)于小功率IGBT模塊，通常采用直接串電阻的方法來檢測(cè)器件輸出電流，從而判斷過電流故障，通過電阻檢測(cè)時(shí)，無延遲;輸出電路簡單;成本低;但檢測(cè)電路與主電路不隔離，檢測(cè)電阻上有功耗，因此，只適合小功率IGBT模塊。比如：5.5KW以下的變頻器。

2、中功率IGBT模塊

中功率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過流、短路保護(hù)，一種方法是仍然采用電阻檢測(cè)法，為了降低電阻產(chǎn)生功耗及發(fā)熱生產(chǎn)的影響，可把帶散熱器件的取樣電阻固定在散熱器上，以測(cè)量更大的電流。

3、中、大功率IGBT模塊

對(duì)于大、中功率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過流保護(hù)常采用電流傳感器。但需注意要選擇滿足響應(yīng)速度要求的電流傳感器。由于需要配置檢測(cè)電源，成本較高，但檢測(cè)電路與主電路隔離，適用于大功率的IGBT模塊。保護(hù)電路動(dòng)作的時(shí)間須在10us之內(nèi)完成。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)IGBT的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。