晶體管

我要報錯

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術(shù)界的一大突破。

華虹半導體“8英寸+12英寸”全線發(fā)力加速進軍IGBT市場

華虹半導體有限公司宣布，公司將全面發(fā)力與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品客戶的合作，積極打造IGBT生態(tài)鏈。

廠商動態(tài)
2020-07-31

igbt 華虹半導體晶體管
一分鐘快速了解碳納米管芯片：超長手機續(xù)航皮膚貼合傳感器等

近日，國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)缺少核心芯片技術(shù)一事引發(fā)關(guān)注。此前據(jù)媒體2017年報道，北京大學教授彭練矛帶領(lǐng)團隊成功使用碳納米管制造出芯片晶體管，工作速度5-10倍于同尺寸的硅基晶體管，能耗只有其10分之1

觸控感測
2020-07-20

碳納米管晶體管
3nm工藝風險量產(chǎn) 晶體管密度提升70%，臺積電來了

臺積電一直是芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的龍頭老大，臺積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，今年要量產(chǎn)5nm工藝了，已經(jīng)被華為、蘋果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能，現(xiàn)在3nm工藝也定了，官方宣布2021年風險量產(chǎn)，2020年下半年正式量產(chǎn)。

嵌入式分享
2020-07-18

臺積電 3nm工藝晶體管
IGBT，半導體皇冠上的明珠

IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的全控電壓驅(qū)動的功率半導體。

半導體
2020-07-17

半導體 igbt 晶體管
臺積電宣布3nm工藝將在2021年實現(xiàn)風險量產(chǎn)

在7月16日舉行的臺積電第二季度業(yè)績說明會上，臺積電宣布，預(yù)計將于2021年上半年進行3nm的風險量產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。

半導體
2020-07-17

臺積電 3nm 晶體管
Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？

Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實驗室總監(jiān)Mi

充電吧
2020-07-15

Intel 3nm 納米線納米帶晶體管
埃賦隆推出600W 915MHz ISM托盤放大器，簡化射頻放大器系統(tǒng)設(shè)計

埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盤放大器

埃賦隆半導體（Ampleon）
2020-07-06

射頻托盤放大器晶體管
Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管，你了解嗎？

什么是Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管?他有什么作用?2018年6月6日荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出專為諸如數(shù)字視頻廣播(DVBT)和特高頻(UHF)模擬電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計的BLF989射頻(RF)功率晶體管。

功率器件
2020-07-05

耐用性埃賦隆半導體晶體管
埃賦隆推出“突破性” Si LDMOS器件，在VHF和UHF應(yīng)用中效率達到80%

BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS

廠商動態(tài)
2020-07-03

埃賦隆 blf978p 晶體管
40萬核心1.2萬億晶體管！世界第一芯片賣出兩塊：3500萬元

去年9月份，半導體企業(yè)Cerebras Systems發(fā)布的世界最大芯片“WSE”(Wafer Scale Engine)，一顆如同晶圓大小的AI處理器，臺積電16nm工藝制造，擁有46225平方毫米

充電吧
2020-06-30

芯片 AI 臺積電 cerebras 晶體管
通過超級計算機的“模擬顯微鏡”仿真，創(chuàng)建新一代的晶體管材料

自從發(fā)現(xiàn)石墨烯以來，二維材料一直是材料研究的重點。二維材料，是指電子僅可在兩個維度的納米尺度(1-100nm)上自由運動(平面運動)的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱。二維材料是伴隨著2004年曼切斯特大學Geim 小組成功分離出單原子層的石墨材料——石墨烯(graphene) 而提出的。

半導體
2020-06-29

石墨烯二維材料晶體管
蘋果 A12 仿生芯片每平方毫米晶體管比 A11 仿生芯片多 70％

據(jù)悉，蘋果 A12 仿生芯片內(nèi)部集成 69 億個晶體管，其晶體管密度為 8390 萬個/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬個/平方毫米。對比之下，蘋果 A12

工業(yè)控制技術(shù)文庫
2020-06-29

蘋果芯片晶體管
IGBT／MOSFET的內(nèi)置保護功能的光耦，你知道嗎？

什么是IGBT/MOSFET的內(nèi)置保護功能的光耦?它有什么作用?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。

功率器件
2020-06-25

東芝光耦晶體管
如何制作高端芯片以及安裝上百億顆晶體管？

納米芯片在我們的生活中非常常見，并被廣泛的應(yīng)用在手機、電腦、電視等各種數(shù)碼家電中。而美國對華為制裁開始后，我國芯片研發(fā)能力的不足就開始顯現(xiàn)了，而大多數(shù)人并不知道經(jīng)常提起的芯片到底是如何制作的，到底有何難度?下面帶大家了解一下芯片的制作過程。

半導體
2020-06-17

芯片晶體管
你知道強大的GaN-on-SiC晶體管嗎？

你了解強大的GaN-on-SiC晶體管嗎?移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管--- QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應(yīng)用來說至關(guān)重要。

電源電路
2020-06-12

qorvo gan-on-sic 晶體管
你真的了解Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管嗎？

什么是Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管?它有什么作用?專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻晶體管，提供高信號完整性和長覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識別 (IFF) 應(yīng)用。

電源電路
2020-06-09

氮化鎵貿(mào)澤晶體管
學了多年的電路，你真了解晶體管嗎？

本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主題，從

21ic電子網(wǎng)
2020-06-08

電路晶體管
碳納米管由實驗室走向工業(yè)場景

現(xiàn)代微處理器是世界上最復(fù)雜的系統(tǒng)之一，但其核心是一個非常簡單而優(yōu)美的器件——晶體管。微處理器中有數(shù)十億個近乎完全相同的晶體管。因此，提高晶體管的性能和密度是促使微處理器及受其驅(qū)動的計算機更高效工作的最直接的方法。

半導體
2020-06-06

半導體碳納米管晶體管
iPhone 12將搭載5nmA14芯片：晶體管數(shù)量高達150億

綜合當前比較可靠的消息，今年秋季蘋果的年度旗艦iPhone 12系列將依舊提供iPhone 12、iPhone 12Max和iPhone 12 Pro、iPhone 12 Pro Max兩個版本共四款

充電吧
2020-06-01

芯片 5nm 晶體管
高可靠性750 V氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC，你知道嗎？

什么是高可靠性750 V氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC?你知道嗎?深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC，產(chǎn)品陣容進一步擴大。新款I(lǐng)NN3x78C器件集成了尺寸較小的“8號”750 V PowiGaN晶體管，可設(shè)計出外形輕巧的高效率電源，在無需散熱片的情況下能夠提供27 W至55 W的輸出功率。與基于氮化鎵的InnoSwitch3系列中更大型號的器件(最大目標功率為120 W)一樣，這些IC也采用符合安規(guī)的大爬電距離的InSOP?-24D封裝。

電源電路
2020-06-01

power integrations 變換器晶體管

首頁上一頁 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 下一頁尾頁

晶體管

華虹半導體“8英寸+12英寸”全線發(fā)力加速進軍IGBT市場

一分鐘快速了解碳納米管芯片：超長手機續(xù)航皮膚貼合傳感器等

3nm工藝風險量產(chǎn) 晶體管密度提升70%，臺積電來了

IGBT，半導體皇冠上的明珠

臺積電宣布3nm工藝將在2021年實現(xiàn)風險量產(chǎn)

Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？

埃賦隆推出600W 915MHz ISM托盤放大器，簡化射頻放大器系統(tǒng)設(shè)計

Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管，你了解嗎？

埃賦隆推出“突破性” Si LDMOS器件，在VHF和UHF應(yīng)用中效率達到80%

40萬核心1.2萬億晶體管！世界第一芯片賣出兩塊：3500萬元

通過超級計算機的“模擬顯微鏡”仿真，創(chuàng)建新一代的晶體管材料

蘋果 A12 仿生芯片每平方毫米晶體管比 A11 仿生芯片多 70％

IGBT／MOSFET的內(nèi)置保護功能的光耦，你知道嗎？

如何制作高端芯片以及安裝上百億顆晶體管？

你知道強大的GaN-on-SiC晶體管嗎？

你真的了解Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管嗎？

學了多年的電路，你真了解晶體管嗎？

碳納米管由實驗室走向工業(yè)場景

iPhone 12將搭載5nmA14芯片：晶體管數(shù)量高達150億

高可靠性750 V氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC，你知道嗎？

相關(guān)標簽

關(guān)注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻