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ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)
～解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的電源實現(xiàn)更低功耗和小型化～
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