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溫度

我要報(bào)錯(cuò)

  • 基于FPGA的溫度模糊自適應(yīng)PID控制器的設(shè)計(jì)

    基于FPGA的溫度模糊自適應(yīng)PID控制器的設(shè)計(jì)

  • 基于C8051 F020的伺服閥溫度零漂測(cè)控系統(tǒng)

    以高性能單片機(jī)C8051F020為核心控制芯片的自動(dòng)測(cè)控系統(tǒng)，能自動(dòng)測(cè)溫，到測(cè)溫點(diǎn)自動(dòng)輸出線性電流、自動(dòng)采集負(fù)載壓力等，并進(jìn)行計(jì)算、顯示及打印測(cè)試數(shù)據(jù)，其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系統(tǒng)方案設(shè)計(jì)

  • 基于C8051 F020的伺服閥溫度零漂測(cè)控系統(tǒng)

    以高性能單片機(jī)C8051F020為核心控制芯片的自動(dòng)測(cè)控系統(tǒng)，能自動(dòng)測(cè)溫，到測(cè)溫點(diǎn)自動(dòng)輸出線性電流、自動(dòng)采集負(fù)載壓力等，并進(jìn)行計(jì)算、顯示及打印測(cè)試數(shù)據(jù)，其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系統(tǒng)方案設(shè)計(jì)

  • GS認(rèn)證在2010年的重要變革

    針對(duì)高溫表面的要求 在開始介紹新法規(guī)要求之前, 讓我們先了解一下現(xiàn)有的法規(guī)：歐洲電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)CENELE所發(fā)布的指導(dǎo)書29法規(guī)涉及到針對(duì)可能接觸到的高溫表面要求，該指導(dǎo)書在一年前提出, 其中幾項(xiàng)要求已經(jīng)確

  • 時(shí)間到了：最后期限是哥本哈根

    在某些歷史時(shí)刻,這個(gè)世界可以選擇不同的道路走下去。哥本哈根舉辦的COP15氣候大會(huì)是其中的一個(gè)決定性的時(shí)刻：我們可以選擇走向綠色繁榮和更可持續(xù)發(fā)展未來(lái)的道路?；蛘呶覀兛梢赃x擇另一條道路，那就是僵峙并對(duì)氣候變

  • 加熱爐溫度控制系統(tǒng)模糊智能實(shí)現(xiàn)

    傳統(tǒng)PID控制對(duì)于突然溫度變化控制不夠及時(shí)，因此加熱效果不好，采用模糊控制能夠很好解決各種工況干擾引起的溫度波動(dòng)問題，可以實(shí)現(xiàn)波動(dòng)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)。文章對(duì)于軋鋼加熱控制有著很大參考和借鑒意義。

  • 日置數(shù)據(jù)記錄儀8430-21 在各行業(yè)中發(fā)揮作用

    用戶：滑雪場(chǎng)、冰球場(chǎng) 用途：利用數(shù)據(jù)記錄儀8430-21設(shè)定溫濕度，從而有效的控制冷凍機(jī)用戶管理對(duì)于冰的控制有嚴(yán)格要求的滑雪場(chǎng)和冰球賽場(chǎng)。 若對(duì)于溫濕度沒有一個(gè)很好的控制和調(diào)整，則將影響冰的狀態(tài)，有時(shí)會(huì)降低比

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實(shí)際的應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一些問題，本文將詳細(xì)地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。

  • 如何選擇合適的電阻型分壓器

    目前主要有兩種實(shí)現(xiàn)電阻型分壓器的方式：通過將兩個(gè)分立的片狀電阻連接到公共端，或者通過使用分壓器封裝在內(nèi)部的電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接。你所選擇的類型可能會(huì)對(duì)分壓器的性能有很大的影響。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在

  • 美科學(xué)家已研制出半導(dǎo)體芯片硅替代品

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵，尤其是砷化鎵（

  • 雙輸出LVPECL晶體振蕩器（Maxim）

    Maxim推出雙輸出LVPECL晶體振蕩器DS4625，設(shè)計(jì)用于要求苛刻的通信系統(tǒng)。該器件產(chǎn)生兩路100MHz至625MHz范圍的高頻輸出，允許設(shè)計(jì)人員使用單個(gè)器件替換兩個(gè)分立的振蕩器。DS4625采用5mm x 3.2mm LCC封裝，尺寸比傳統(tǒng)方

  • 英國(guó)：壽命率25年的LED燈泡，一個(gè)要30英鎊？

    最近，在英國(guó)推出LED燈泡“Pharox”，一個(gè)要30英鎊（約臺(tái)幣1600元），號(hào)稱耐用25年。不過，這款燈泡一年電費(fèi)號(hào)稱只要88便士（約臺(tái)幣47元），3年就能回本。 據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，Pharox材質(zhì)是毛玻璃，內(nèi)裝4個(gè)白光LED和兩個(gè)紅

  • 藥品大降價(jià) 藥店商業(yè)照明設(shè)計(jì)人性化

    百姓期待已久的國(guó)家基本藥物零售指導(dǎo)價(jià)格今天起正式實(shí)行，和現(xiàn)行政府規(guī)定的零售指導(dǎo)價(jià)相比，約45％的藥品降價(jià)，平均降幅12％左右。以頭孢氨芐膠囊，規(guī)格125mg*10為例，調(diào)整前3塊2，調(diào)整后1塊8；阿莫西林膠囊，規(guī)格2