
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代,DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
電源行業(yè),一些應(yīng)用需要高耐壓、高容量的電容器,例如在開關(guān)電源中作輸入輸出濾波,儲能,尖峰吸收,DC-DC轉(zhuǎn)換,直流阻隔,電壓倍乘等等,此外,在一些應(yīng)用中,尺寸和重量非常重要,需要小體積的電子元器件。
晶體管錄音信號放大電路
W7800系列應(yīng)用電路
電子濾波器
12V直流穩(wěn)壓電源電路
LC濾波電路
【導(dǎo)讀】全球半導(dǎo)體材料市場調(diào)查:2010年將達(dá)到4.11萬億日元 富士經(jīng)濟(jì)公布了半導(dǎo)體材料全球市場的調(diào)查結(jié)果以及未來預(yù)測。2006年半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模比上年增加16.9%,達(dá)到3.21萬億日元。從不同領(lǐng)域看,份額
【導(dǎo)讀】利用TI新型在線工具選擇非隔離式POL模塊與電容器 現(xiàn)在,借助 TI 的全新在線選擇工具,您可以輕松快速地選擇最佳非隔離式 POL 模塊與電容器。T2 系列寬輸入、非隔離式 POL 電源模塊采用 TI 申請專利的
【導(dǎo)讀】當(dāng)前薄膜貼片電容器市場分析及預(yù)測 為了阻止開關(guān)模式電源濾波市場從標(biāo)準(zhǔn)的5毫米PET薄膜電容器轉(zhuǎn)向表面貼裝多層陶瓷貼片電容器,薄膜電容器產(chǎn)業(yè)在1995年到2005年這十年間投資了數(shù)百萬美元,以開發(fā)具有
【導(dǎo)讀】日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Tantamount® 高可靠性 COTS T97和商用、工業(yè)級的597D系列固鉭貼片電容器榮獲2010 EDN China創(chuàng)新獎的無源器件和傳感器類的最佳產(chǎn)品獎
【導(dǎo)讀】(深圳)LED照明驅(qū)動技術(shù)研討會是由亞太區(qū)知名的資訊傳播機(jī)構(gòu)全力主辦,主要致力于為中國LED通用照明制造產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)搭建最專業(yè)的技術(shù)交流和信息傳遞平臺。會議將于10月20日—21日于深圳舉辦,屆時(shí)以LED通
【導(dǎo)讀】AVX公司為其高可靠性的鉭電容器開發(fā)了一種創(chuàng)新的,極其有效的測試過程。所謂的 "Q" 測試過程是本年初在緬因州比迪福德市舉行的高可靠性鉭部件討論會引進(jìn)給軍事和航天業(yè)界里最有影響力的成員。 摘要: AV
無源濾波器缺點(diǎn):帶負(fù)載能力差,無放大作用,特性不理想邊沿不陡峭,各級互相影響。RC濾波1, C值的選取:C不能選的太小,否則負(fù)載電容對濾波電路的影響很大,一般IC的輸入電容往往有l(wèi)~lOpF的輸入電容。C值選的太大,則會影
HG40系列晶閘管不錯(cuò)電容器投切器接線
桿上移相電容器的防雷接線b
桿上移相電容器的防雷接線a
模塑器件提供高可靠性篩選選項(xiàng),容量達(dá)470μF,電壓達(dá)75VDC21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于軍工和航天應(yīng)用的TANTAMOUNT®表面貼裝固鉭模塑片
開關(guān)電源在各個(gè)領(lǐng)域被普遍采用,而開關(guān)電源技術(shù)也有了重大的突破和進(jìn)步。新型功率器件的開發(fā)促進(jìn)了開關(guān)電源的高頻化,功率MUSFET和IGBT可使中小型開關(guān)電源工作頻率達(dá)到40
無源濾波器缺點(diǎn):帶負(fù)載能力差,無放大作用,特性不理想邊沿不陡峭,各級互相影響。RC濾波1, C值的選取:C不能選的太小,否則負(fù)載電容對濾波電路的影響很大,一般IC的輸入電容往往有l(wèi)~lOpF的輸入電容。C值選的太大,則會影