
電路原理圖中,電感常用符號(hào)“L”或“T”表示,不同類型的電感在電路原理圖中通常采用不同的符號(hào),如圖1所示。 圖1 不同類型的電感符號(hào)電感工作能力的
帶通濾波器(band-pass filter)是一個(gè)允許特定頻段的波通過同時(shí)屏蔽其他頻段的設(shè)備。比如RLC振蕩回路就是一個(gè)模擬帶通濾波器。帶通濾波器是指能通過某一頻率范圍內(nèi)的頻率分量、但將其他范圍的頻率分量衰減到極低水平的濾波器,與帶阻濾波器的概念相對(duì)。
最近在做有關(guān)電磁兼容的測試,在實(shí)際測試中,發(fā)覺負(fù)載開關(guān)時(shí)系統(tǒng)會(huì)死機(jī)。而我們做的產(chǎn)品正常工作是不允許復(fù)機(jī)的,死機(jī)是更嚴(yán)重的問題,查找原因。首先懷疑干擾是電源端傳導(dǎo)
許多模擬電路需要一種時(shí)鐘信號(hào),或者要求能在一定時(shí)間后執(zhí)行某項(xiàng)任務(wù)。對(duì)于這樣的應(yīng)用,有各種各樣適用的解決方案。1555定時(shí)器對(duì)于簡單的時(shí)序任務(wù),可以使用標(biāo)準(zhǔn)的555電路。
隨著市場對(duì)功能豐富的手機(jī)需求越來越強(qiáng)勁,具有特殊應(yīng)用性能的模擬開關(guān)得到了最終設(shè)計(jì)的持續(xù)青睞。此舉不僅能降低材料成本(BOM),還有助于提升設(shè)計(jì)性能并滿足對(duì)產(chǎn)品上市時(shí)間
現(xiàn)在不少廉價(jià)的充電式LED臺(tái)燈都采用4V的小蓄電池作電源,簡單的阻容降壓電路充電,電路的故障率較高。本文詳細(xì)介紹一下這種充電式LED臺(tái)燈電路的工作原理,以方便大家維修時(shí)
單位換算,指同一性質(zhì)的不同單位之間的數(shù)值換算。常用的單位換算有長度單位換算、重量單位換算、壓力單位換算、面積單位換算、電容單位換算等。
濾波電路常用于濾去整流輸出電壓中的紋波,一般由電抗元件組成,如在負(fù)載電阻兩端并聯(lián)電容器C,或與負(fù)載串聯(lián)電感器L,以及由電容,電感組成而成的各種復(fù)式濾波電路。
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會(huì)讓您無法
接近開關(guān)有幾種安裝方式?一般接近開關(guān)有兩種安裝方式:齊平安裝和非齊平安裝;1、齊平安裝:接近開關(guān)頭部可以和金屬安裝支架相平安裝;2、非齊平安裝:接近開關(guān)頭部不能和金屬
當(dāng)前,日益惡化的電磁環(huán)境,使我們逐漸關(guān)注設(shè)備的工作環(huán)境,日益關(guān)注電磁環(huán)境對(duì)電子設(shè)備的影響,從設(shè)計(jì)開始,融入電磁兼容設(shè)計(jì),使電子設(shè)備更可靠的工作。電磁兼容設(shè)計(jì)主要
MOSFET可降低超級(jí)電容器的工作偏置電壓,平衡電路的功耗,并可以根據(jù)溫度、時(shí)間和環(huán)境變化而自動(dòng)調(diào)節(jié)。在能量采集、辦公自動(dòng)化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,超級(jí)電容器
一.原理圖1. RS485接口6KV防雷電路設(shè)計(jì)方案 圖1:RS485接口防雷電路接口電路設(shè)計(jì)概述:RS485用于設(shè)備與計(jì)算機(jī)或其它設(shè)備之間通訊,在產(chǎn)品應(yīng)用中其走線多與電源、功率信號(hào)等
高清數(shù)字內(nèi)容過去只能承載于物理磁盤上,需要專用設(shè)備才可以播放;而今,寬帶連接無處不在,高清數(shù)字內(nèi)容可以從“云”端中以“流”的形式傳送和定制到計(jì)
自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn),目前我們已經(jīng)擁有了對(duì)于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對(duì)于較高電壓的器件,它正
今天在進(jìn)行《磁性元件與開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)》企業(yè)內(nèi)訓(xùn)時(shí);在開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)-LLC設(shè)計(jì)調(diào)試技巧中對(duì)LLC的關(guān)鍵技術(shù)及易發(fā)生故障的狀況進(jìn)行了分析;LLC諧振電源如何實(shí)現(xiàn)ZVS應(yīng)用及設(shè)
在切換音頻和視頻信號(hào)時(shí),難點(diǎn)在于如何避免引入噪聲,以及因設(shè)備電阻或附帶電容導(dǎo)致的信號(hào)損失。雖然 CMOS 模擬開關(guān)既有效又高效,但設(shè)計(jì)人員需要了解關(guān)鍵的參數(shù)折衷才能正
自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn),目前我們已經(jīng)擁有了對(duì)于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對(duì)于較高電壓的器件,它正
下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾:1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線周期特別快的系統(tǒng)。2、系統(tǒng)含有大功率,大電流驅(qū)動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開關(guān)等。3、含微
1. 關(guān)于什么是系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP),業(yè)界有一致的看法。實(shí)際上是五花八門。SiP的定義差異如此之大,以至于TechSearch International近期的SiP報(bào)告(1),第一章羅列出了來自一系列