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電流

我要報(bào)錯(cuò)
科學(xué)上把單位時(shí)間里通過(guò)導(dǎo)體任一橫截面的電量叫做電流強(qiáng)度,簡(jiǎn)稱電流。通常用字母 I表示,它的單位是安培(安德烈·瑪麗·安培,1775年—1836年,法國(guó)物理學(xué)家、化學(xué)家,在電磁作用方面的研究成就卓著,對(duì)數(shù)學(xué)和物理也有貢獻(xiàn)。電流的國(guó)際單位安培即以其姓氏命名),簡(jiǎn)稱“安”,符號(hào) “A”,也是指電荷在導(dǎo)體中的定向移動(dòng)。導(dǎo)體中的自由電荷在電場(chǎng)力的作用下做有規(guī)則的定向運(yùn)動(dòng)就形成了 電流。電源的電動(dòng)勢(shì)形成了電壓,繼而產(chǎn)生了電場(chǎng)力,在電場(chǎng)力的作用下,處于電微安(μA)1A=1 000mA=1 000 000μA,電學(xué)上規(guī)定:正電荷定向流動(dòng)的方向?yàn)殡娏鞣较?。金屬?dǎo)體中電流微觀表達(dá)式I=nesv,n為單位體積內(nèi)自由電子數(shù),e為電子的電荷量,s為導(dǎo)體橫截面積,v為電荷速度。大自然有很多種承載電荷的載子,例如,導(dǎo)電體內(nèi)可移動(dòng)的電子、電解液內(nèi)的離子、等離子體內(nèi)的電子和離子、強(qiáng)子內(nèi)的夸克。這些載子的移動(dòng),形成了電流。
  • 一種大電流高輸出阻抗電流鏡的設(shè)計(jì)

    0 引 言 電流鏡(CM)是模擬集成電路中最基本的單元電路之一。它是一種能將電路中某一支路的參考電流在其他支路得以重現(xiàn)或復(fù)制的電路,能減少電壓變化和溫度變化帶來(lái)的誤差,其性能對(duì)整個(gè)電路乃至系統(tǒng)的性能都有重

  • 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

    非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而代碼

  • DC信號(hào)源SS7012(日置)

    日置HIOKI于12月底發(fā)售了專門面向工廠、樓宇、發(fā)電站控制系統(tǒng),半導(dǎo)體制造裝置等的養(yǎng)護(hù)作業(yè)所不可缺少的DC信號(hào)源SS7012。■前言(研發(fā)背景) 現(xiàn)在,工廠、樓宇的控制體系,半導(dǎo)體裝置等,都裝載了許多儀器設(shè)備,需要通

  • 功率和電流監(jiān)視器實(shí)現(xiàn)板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化(Linear)

    凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出功率和電流監(jiān)視器 LT2940,該器件用于 4V 至 80V 的系統(tǒng)。在電流和電壓可能由于電源電壓的不確定性、組件參數(shù)的變化、瞬態(tài)狀況或時(shí)變信號(hào)而變化的情況下,LT2940

  • 功率和電流監(jiān)視器實(shí)現(xiàn)板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化(Linear)

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  • 專為變化負(fù)載電流而優(yōu)化的全新“Eco”高速線性穩(wěn)壓器(奧地利微電子)

    奧地利微電子公擴(kuò)展旗下低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)品線,推出“Eco”LDO AS1367,在穩(wěn)壓輸出時(shí)可提供高達(dá)150mA的電流。奧地利微電子消費(fèi)及通信市場(chǎng)總監(jiān)Bruce Ulrich表示:“AS1367 LDO為許多用戶遇到的可變占空比負(fù)載問(wèn)題提供了

  • 輸電線路電壓/電流的計(jì)算機(jī)保護(hù)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    輸電線路電流保護(hù)和電壓保護(hù)分別作為電力系統(tǒng)保護(hù)原理和手段之一,是十分重要的保護(hù)類型。該設(shè)計(jì)分別對(duì)電力線路的過(guò)壓、欠壓以及過(guò)流進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)與控制。同時(shí)采用相間短路的電流/電壓保護(hù)和接地短路的零序電流/電壓保護(hù)。這里利用計(jì)算機(jī)的高速處理能力性能,達(dá)到了對(duì)輸電線路進(jìn)行復(fù)雜多方式監(jiān)測(cè),復(fù)雜多方式控制與保護(hù)的目的。

  • 美信發(fā)布GPON用APD偏置和電流監(jiān)視芯片

    11/24/2009,美信半導(dǎo)體Maxim推出DS1842芯片。這是一款76V APD偏壓輸出和電流監(jiān)視用IC,采用3mm X 3mm TDFN封裝,采用美信最新的BiCMOS制造流程生產(chǎn)。該芯片內(nèi)置76V 電流源和針對(duì)APD監(jiān)視用的雙電流鏡像電路,還內(nèi)置了

  • MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

    CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET,當(dāng)氧化層厚度<2 nm時(shí),大量載流子以不同機(jī)制通過(guò)柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生

  • 輸電線路電壓/電流的計(jì)算機(jī)保護(hù)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    輸電線路電流保護(hù)和電壓保護(hù)分別作為電力系統(tǒng)保護(hù)原理和手段之一,是十分重要的保護(hù)類型。該設(shè)計(jì)分別對(duì)電力線路的過(guò)壓、欠壓以及過(guò)流進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)與控制。同時(shí)采用相間短路的電流/電壓保護(hù)和接地短路的零序電流/電壓保護(hù)。這里利用計(jì)算機(jī)的高速處理能力性能,達(dá)到了對(duì)輸電線路進(jìn)行復(fù)雜多方式監(jiān)測(cè),復(fù)雜多方式控制與保護(hù)的目的。

  • 76V APD偏置和電流監(jiān)測(cè)IC(Maxim)

    Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級(jí)和電流監(jiān)測(cè)IC DS1842。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝設(shè)計(jì),集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡,用于監(jiān)測(cè)APD電流。該器件還包含一個(gè)FET開關(guān),可與外部DC-DC控制器配

    電源
    2009-11-22
    IC PD MAXIM 電流
  • 基于0.5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

    針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下,實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計(jì),使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過(guò)的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過(guò)程中,上述理論并不成立,因此在實(shí)際的應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一些問(wèn)題,本文將詳細(xì)地論述這些問(wèn)題,以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過(guò)的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在

  • 美科學(xué)家已研制出半導(dǎo)體芯片硅替代品

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(