
目前,在高端功率電阻市場,歐美、日本、臺(tái)灣品牌三分天下。如同其他電子元器件一般,在功率電阻尤其是大功率電阻市場,中國本土品牌發(fā)展雖然勢頭強(qiáng)勁,但是大多偏向于低端市場,在諸如軍工、儀器、醫(yī)療、工控等高端
本文介紹了電流模式 Buck 變換器的電流取樣電阻放置的三種位置:輸入端,輸出端及續(xù)流管,詳細(xì)的說明了這三種位置各自的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn),同時(shí)還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點(diǎn)電流模式的工作原理以及它們各自的工
標(biāo)簽:避雷器1.避雷器的介紹避雷器是保護(hù)輸、變電設(shè)備最重要和基本的元件,也是決定高壓電氣設(shè)備絕緣水平的基礎(chǔ)。至目前為止,避雷器分為碳化硅閥式避雷器和金屬氧化物避雷器兩大類。氧化鋅避雷器與傳統(tǒng)碳化硅閥式避
Analog Devices AD8553自動(dòng)調(diào)零儀表放大器有一個(gè)獨(dú)特的結(jié)構(gòu),它的兩只增益設(shè)定電阻沒有公共節(jié)點(diǎn)(參考文獻(xiàn)1)。該IC的前級(jí)是一個(gè)精密電壓/電流轉(zhuǎn)換器,其中增益電阻R1設(shè)定了互導(dǎo)的大小。IC的后級(jí)是一個(gè)精密電流/電壓
如圖,該裝置的電路工作原理如圖。當(dāng)按鈕開關(guān)AN未撳下時(shí),三極管VT無偏流而截止,此時(shí)VT的c--e極間電阻大于50K,故LSE的①、②腳間相當(dāng)于開路,LSE的④腳輸出低電平,繼電器J呈釋放狀態(tài)。當(dāng)撳下開關(guān)AN時(shí),其電流通過
此充電器可對電池或電瓶充電,電池或電瓶充滿電時(shí)會(huì)自動(dòng)停止充電,恒流充電從0~1.5A連續(xù)可調(diào),停止充電時(shí),閾值電壓從0~15V連續(xù)可調(diào)。工作原理電路如圖所示。當(dāng)A、B之間接入電壓不足的電池或電瓶時(shí),RP1滑動(dòng)端的分
電路如圖所示,T為自耦式調(diào)壓器。其輸出端固定,輸入端由伺服電動(dòng)機(jī)自動(dòng)調(diào)節(jié),使輸出保持恒定。三極管VTl、VT2:3DK9C,β=65~85;VT3:3AX818,β=60~80;二極管VD2、VD3、VD6~VD9:1N4002;VD4、VD5、V
1 TLC5510簡介TLC5510是美國德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器,采用CMOS工藝,大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率,可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議以及QAM解調(diào)器等
此充電器可對電池或電瓶充電,電池或電瓶充滿電時(shí)會(huì)自動(dòng)停止充電,恒流充電從0~1.5A連續(xù)可調(diào),停止充電時(shí),閾值電壓從0~15V連續(xù)可調(diào)。工作原理電路如圖所示。當(dāng)A、B之間接入電壓不足的電池或電瓶時(shí),RP1滑動(dòng)端的分
電路如圖所示,T為自耦式調(diào)壓器。其輸出端固定,輸入端由伺服電動(dòng)機(jī)自動(dòng)調(diào)節(jié),使輸出保持恒定。三極管VTl、VT2:3DK9C,β=65~85;VT3:3AX818,β=60~80;二極管VD2、VD3、VD6~VD9:1N4002;VD4、VD5、V
一、集成電路及其特點(diǎn) 集成電路是利用氧化,光刻,擴(kuò)散,外延,蒸鋁等集成工藝,把晶體管,電阻,導(dǎo)線等集中制作在一小塊半導(dǎo)體(硅)基片上,構(gòu)成一個(gè)完整的電路。按功能可分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路兩大類,
圖3.4中有一個(gè)與信號(hào)源相串聯(lián)的電阻,這個(gè)電阻可以作為任何門電路驅(qū)動(dòng)被測信號(hào)時(shí)的輸出阻抗的模型。對于TTL或高性能的CMOS驅(qū)動(dòng)器,這個(gè)源端阻抗大允為30歐。對于ECL系統(tǒng),輸出阻抗大約為10歐。LC電路的Q值,或者說諧
鄰近效應(yīng)是一種物理現(xiàn)象,會(huì)使相鄰導(dǎo)線中的反方向電流產(chǎn)生相互吸引(見圖4.16)。鄰近效應(yīng)是由磁場的變化引起的,因此它僅干擾高頻電流的流動(dòng)。靜態(tài)磁場的恒定電流不會(huì)對鄰近效應(yīng)做出響應(yīng)。鄰近效應(yīng)明顯不同于安培發(fā)
一、電阻元件阻抗頻率特性的仿真 按圖7-1繪制仿真電路圖,把信號(hào)發(fā)生器的輸出調(diào)至幅值為4V的正弦波(Offset=0),并在不同頻率時(shí)保持不變。將開關(guān)S1閉合,S2、S3斷開,分別按給定的頻率值調(diào)節(jié)信號(hào)源的頻率,每次在
在做LED測試時(shí)應(yīng)該會(huì)發(fā)現(xiàn)當(dāng)以高頻電流驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)燒黑現(xiàn)象,最終導(dǎo)致死燈。具體表現(xiàn)在金線周圍膠體因持續(xù)高溫下硅膠碳化燒黑,這是由于高頻下阻抗遠(yuǎn)高于直流阻抗,阻抗的升高使金線發(fā)熱更加嚴(yán)重使膠體燒黑,產(chǎn)
一、逆變器電路原理晶體管V,變壓器T的N1、N2繞組和電容器C構(gòu)成變壓器耦合LC振蕩電路。電位器RP和電阻R為振蕩管提供偏置電流。二、元器件及制作V選用3DD59A,R用1/4W的普通電阻,C選用0.22μF/50V,變壓器需自制,
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
如圖所示為基本反相放大器。首先分析反相放大器的理想特性,利用理想集成運(yùn)放的條件:虛短和虛斷,即u_=u+,iB+=iB_可得出此電路的閉環(huán)增益為此電路輸入電壓與輸入電壓之間的關(guān)系為由于輸出電壓與輸入電壓的相位相反
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
TDA1514是飛利浦公司專為適應(yīng)數(shù)碼音響對功放的高保真要求而設(shè)計(jì)的音響專用電路,為9腳單聲道功放集成電路,采用單列封裝結(jié)構(gòu)。由于采用了先進(jìn)的集成技術(shù),TDA1514具有輸出功率大,失真小,頻響寬,性能可靠穩(wěn)定等顯著