揮別市場景氣冷颼颼的2009上半年,美國模擬技術(shù)資源網(wǎng)站Planetanalog的分析師Bill Schweber觀察近來新發(fā)表的IC產(chǎn)品信息,試圖藉由芯片供貨商的角度預(yù)測整理出接下來6至12個月,在模擬領(lǐng)域較熱門的幾項技術(shù): ˙以太網(wǎng)
LED市場發(fā)展與市場基礎(chǔ)大小有絕對影響,2001年LED進(jìn)入手機市場,使得整體市場呈現(xiàn)出第一波高速增長,特別是高亮度LED市場在2001~2004年間實現(xiàn)了高達(dá)46%的年增長率。但在2004年以后,隨著彩色屏幕手機的比例超
揮別市場景氣冷颼颼的2009上半年,美國模擬技術(shù)資源網(wǎng)站Planetanalog的分析師Bill Schweber觀察近來新發(fā)表的IC產(chǎn)品信息,試圖藉由芯片供貨商的角度預(yù)測整理出接下來6至12個月,在模擬領(lǐng)域較熱門的幾項技術(shù): ˙以太網(wǎng)
引言 MR16 燈屬于多面向反射器燈的一種,通常以鹵素?zé)艚z囊作為光源。它們適用于很多零售和消費性應(yīng)用,借著獨特的尺寸、可配置性、聚光能力和美觀性,發(fā)揮實用性和創(chuàng)意。不過,低效率、熱量產(chǎn)生和鹵素囊處理問
引言 MR16 燈屬于多面向反射器燈的一種,通常以鹵素?zé)艚z囊作為光源。它們適用于很多零售和消費性應(yīng)用,借著獨特的尺寸、可配置性、聚光能力和美觀性,發(fā)揮實用性和創(chuàng)意。不過,低效率、熱量產(chǎn)生和鹵素囊處理問
引言 MR16 燈屬于多面向反射器燈的一種,通常以鹵素?zé)艚z囊作為光源。它們適用于很多零售和消費性應(yīng)用,借著獨特的尺寸、可配置性、聚光能力和美觀性,發(fā)揮實用性和創(chuàng)意。不過,低效率、熱量產(chǎn)生和鹵素囊處理問
Author(s): Sundaram Raghuraman - VI Engineering Industry: Telecommunications Products: Signal Conditioning, LabVIEW, RF, High-Speed Digital I/O The Challenge: 為射頻(射頻)遙控組件的生產(chǎn)測試開發(fā)四
市場研究機構(gòu)Gartner資深分析師Dean Freeman認(rèn)為,在碳科技中已經(jīng)最接近商業(yè)化的,就是發(fā)展時間已經(jīng)超過15年的鉆石。鉆石是三維架構(gòu)的碳,根據(jù)供應(yīng)硅晶圓片上40納米(nm)~15微米(micron)鉆石薄膜的廠商指出,其散熱效
為各種有機化合物基礎(chǔ)成分的碳(cabon),注定將取代它在化學(xué)元素周期表的樓下鄰居硅(Si)成為未來半導(dǎo)體組件的材料首選?無論是哪種結(jié)構(gòu),碳在散熱、頻率范圍甚至超導(dǎo)電性的表現(xiàn)上都優(yōu)于硅。 市場研究機構(gòu)Gartner資深
線性穩(wěn)壓器是電子產(chǎn)業(yè)中最長期且最廣泛被應(yīng)用的集成電路之一,自多年前問世以來,已經(jīng)歷多次重大的效能提升。本文說明多種線性穩(wěn)壓器架構(gòu)的基本運作原則,并摘要說明其中最重要的參數(shù),最后歸結(jié)針對特定規(guī)格選用
瑞典綜合太陽能企業(yè) Renewable Energy Corporation (REC) 周一表示,由于今年太陽能市場持續(xù)萎縮,目前預(yù)期全年太陽能模塊價格將較去年下滑 30%。 REC 補充,其大部分長期合約晶圓客戶,現(xiàn)在紛紛尋求變更出貨量及/
為滿足電子產(chǎn)品消費性市場「短小輕薄」與「功能多樣化」及電子產(chǎn)品制造商「降低成本」的需求,最上游端半導(dǎo)體供貨商除靠制程微縮來達(dá)成此目標(biāo)外,「異質(zhì)整合」也是達(dá)成上述目標(biāo)的重要芯片研發(fā)方向之一。 半導(dǎo)體「異
北京時間6月26日早間消息(蔣均牧)據(jù)電信和手機廣告咨詢公司FirstPartner的報告稱,2009年至2013年手機廣告年復(fù)合增長率將達(dá)50%,到2013年市場規(guī)模將達(dá)9.5億歐元。其中,英國是手機廣告最大的市場,到2013年市場規(guī)
臺積電(TSMC)宣布成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù),同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)制程,將32納米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米制程,使得半導(dǎo)體可以