據(jù)報(bào)道,聯(lián)電近日公布了9月份的財(cái)政收入報(bào)告,聯(lián)電9月份總收入2.96億美元,創(chuàng)下了自2007年以來(lái)的月收入新高。與此同時(shí),聯(lián)電的季度收入也在逐步增加,并朝著同比增長(zhǎng)的趨勢(shì)發(fā)展。 聯(lián)電9月份總收入同比去年增長(zhǎng)了18.
相關(guān)文章最高可達(dá)20層的PCB為更小巧便攜設(shè)計(jì)錦上添花再生能源與節(jié)能技術(shù)潛力可期,聯(lián)電成立投資子公司簡(jiǎn)化客制IC設(shè)計(jì),思源科技與聯(lián)電推出65納米套件臺(tái)積電與聯(lián)電欲削減成本 強(qiáng)制員工休無(wú)薪假臺(tái)灣晶圓代工雙雄2月財(cái)報(bào)
因應(yīng)景氣翻揚(yáng),晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開(kāi)資本支出競(jìng)賽,其中45/40納米產(chǎn)能擴(kuò)充將是2009~2010年重點(diǎn),而臺(tái)積電則于40納米制程世代起一并提供客戶(hù)全套式的前、后段制程代工服務(wù),加上太陽(yáng)能產(chǎn)廠將動(dòng)工,
臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)復(fù)蘇臺(tái)積電等有望恢復(fù)調(diào)薪
據(jù)報(bào)道,聯(lián)電近日表示,他們?cè)谛录悠碌腇ab 12i晶圓廠已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行45/40nm工藝生產(chǎn),聯(lián)電的此次擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也是為滿足客戶(hù)對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的需求。Fab 12i晶圓廠是聯(lián)電的首個(gè)300mm晶圓廠,于2002年4月完工,并
據(jù)報(bào)道,聯(lián)電近日公布了9月份的財(cái)政收入報(bào)告,聯(lián)電9月份總收入2.96億美元,創(chuàng)下了自2007年以來(lái)的月收入新高。與此同時(shí),聯(lián)電的季度收入也在逐步增加,并朝著同比增長(zhǎng)的趨勢(shì)發(fā)展。聯(lián)電9月份總收入同比去年增長(zhǎng)了18.41
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,聯(lián)電)宣布,為擴(kuò)大產(chǎn)能并進(jìn)行45/40奈米制程生產(chǎn),該公司位于新加坡之生產(chǎn)基地Fab 12i已啟動(dòng)積極之?dāng)U產(chǎn)計(jì)劃,將能針對(duì)客戶(hù)在先進(jìn)制程方面日益增多的需求提供更好的服務(wù),并且能擴(kuò)大先進(jìn)制程
最近,臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)公司宣布將利用為其新加坡12英寸芯片廠Fab12i提升產(chǎn)能的機(jī)會(huì),將這家工廠的制程轉(zhuǎn)向40/45nm.盡管聯(lián)電今年的銷(xiāo)售 額比去年同期略有下降,但該公司今年的表現(xiàn)相對(duì)來(lái)說(shuō)還算不錯(cuò)。上個(gè)月,聯(lián)電的營(yíng)收
聯(lián)電(2303)轉(zhuǎn)機(jī)題材越來(lái)越具吸引力!摩根大通證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師J. J. Park昨(9)日預(yù)估,聯(lián)電未來(lái)2年毛利年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)45%,帶動(dòng)股價(jià)/凈值比(P/B值)至少向1倍靠攏,因此,將目標(biāo)價(jià)由15.5
晶圓雙雄營(yíng)收公布,聯(lián)電九月?tīng)I(yíng)收達(dá)95.34億元,創(chuàng)近二年新高,累計(jì)第三季營(yíng)收達(dá)274.06億元,超越公司財(cái)測(cè),臺(tái)積電第三季營(yíng)收899億元,則是 逼近當(dāng)初設(shè)定900億元高標(biāo),聯(lián)電優(yōu)異表現(xiàn),讓摩根大通、野村等外資,持續(xù)給予
2009年5月6日—— 恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開(kāi)發(fā)協(xié)議,三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC" 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn),為下一代managed-NAND解