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雙軸應變下GaN有效質量的計算及其對遷移率的影響
摘 要：通過計算雙軸應變下氮化鎵的電子能帶結構，給出了GaN有效質量與應變的變化關系。在弛豫時間近似的條件下，這種關系決定了雙軸應變AlGaN/GaN中二維電子氣(2DEG)的遷移率的改變。在其他物理參量不變的情況下，這種二維電子氣遷移率將隨著張應變的增加而增加，并隨著壓應變的增加而減小。計算結果表明，張應變對2DEG遷移率的影響要比壓應變大。此外，GaN有效質量的變化在低溫時對遷移率的作用更明顯。而在低溫低濃度的條件下，遷移率卻對有效質量的依賴很小。
