高功率電源(通常指功率大于 1kW 的工業(yè)電源、新能源逆變器等)的工作環(huán)境具有高壓、大電流、強(qiáng)電磁干擾的特點(diǎn),對(duì)隔離驅(qū)動(dòng)的核心要求集中在三個(gè)維度:電氣隔離可靠性、功率密度適配性和動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。電氣隔離需滿足安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)(如 UL1577、IEC60664),防止高低壓側(cè)擊穿導(dǎo)致設(shè)備損壞或安全事故;功率密度方面,高功率電源往往追求小型化設(shè)計(jì),要求隔離驅(qū)動(dòng)具備緊湊的封裝形式;動(dòng)態(tài)響應(yīng)則直接影響開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗,需與功率器件的開(kāi)關(guān)頻率(通常在 10kHz-1MHz)精準(zhǔn)匹配,避免出現(xiàn)開(kāi)關(guān)延遲或誤觸發(fā)。
在高功率電源(通常指功率≥1kW 的工業(yè)電源、新能源逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等)設(shè)計(jì)中,隔離驅(qū)動(dòng)作為連接控制電路與功率開(kāi)關(guān)器件(如 IGBT、SiC MOSFET)的核心組件,直接影響電源的效率、可靠性與安全性。不同于中低功率場(chǎng)景,高功率環(huán)境下的高壓、大電流、強(qiáng)電磁干擾(EMI)特性,對(duì)隔離驅(qū)動(dòng)的性能提出了更嚴(yán)苛的要求。本文將系統(tǒng)梳理高功率電源隔離驅(qū)動(dòng)的選型邏輯,幫助工程師規(guī)避選型誤區(qū),實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
電動(dòng)機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在此類(lèi)應(yīng)用中很常見(jiàn),并且總是使用功率級(jí)中用于驅(qū)動(dòng)它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 進(jìn)行電子換向以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
近年來(lái),隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和云計(jì)算在工業(yè)領(lǐng)域的普及,全球工業(yè)正在發(fā)生一輪新變革。
2020年11月16日-在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中,通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管。
在PWM和電子鎮(zhèn)流器當(dāng)中,半橋電路發(fā)揮著重要的作用。半橋電路由兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件組成,它們以圖騰柱的形式連接在一起,并進(jìn)行輸出,提供方波信號(hào)。本篇文章將為大家介紹半橋
IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合,要在這些場(chǎng)合應(yīng)用,首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類(lèi)的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上就需要相應(yīng)的設(shè)計(jì)技巧
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路