IGBT技術大多應用在大功率電源場合，要在這些場合應用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應、過載一類的不良反應。因此在隔離驅(qū)動IGBT功率器件的設計上就需要相應的設計技巧。本文將為針對避免不良反應為前提來介紹IGBT功率器件設計的八種技巧。

如何避免米勒效應

IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動器(單電源驅(qū)動器)。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通(門集電壓尖峰)，這是潛在的危險。

當上半橋的IGBT打開操作，dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容，門極電阻和內(nèi)部門極驅(qū)動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個電壓超過IGBT門極閾值的電壓，可能會導致寄生IGBT道通。

有兩種傳統(tǒng)解決方案。首先是添加門極和發(fā)射極之間的電容。第二個解決方法是使用負門極驅(qū)動。第一個解決方案會造成效率損失。第二個解決方案所需的額外費用為負電源電壓。

解決方案是通過縮短門極-發(fā)射極的路徑，通過使用一個額外的晶體管在于門極-發(fā)射極之間。達到一定的閾值后，晶體管將短路門極-發(fā)射極地區(qū)。這種技術被稱為有源米勒鉗位。

故障保護功能有哪些?都是集成在隔離驅(qū)動器里嗎?

3種故障保護功能都集成到Avago的高集成柵極驅(qū)動器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2電平不足夠時開啟IGBT)，DESAT(以保護IGBT過電流或短路)，和米勒鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。

對于工作于600V直流母線的30～75A、1200VIGBT而言，ACPL-33x、ACPL-H342這5顆帶miller鉗位保護的柵極驅(qū)動光耦能否僅以單電源供電就能實現(xiàn)高可靠性驅(qū)動，相比于傳統(tǒng)的正負供電，可靠性是更高，還是有所不足?

AvagoACPL-332J，ACPL-333J以及ACPL-H342的門極驅(qū)動光耦可以輸出電流2.5A。這些產(chǎn)品適合驅(qū)動1200V，100A類型的IGBT。

1、當使用負電源，就不需要使用米勒箝位，但需花額外費用在負電源上。

2、如果只有單電源可使用，那么設計者可以使用內(nèi)部內(nèi)置的有源米勒箝位。

這兩種解決方法一樣可靠。米勒箝引腳在不使用時，需要連接到VEE。

欠壓、缺失飽和如何更好的被避免?

AVAGO門極驅(qū)動光耦帶有欠壓閉鎖(UVLO)保護功能。當IGBT故障時，門極驅(qū)動光耦供電的電壓可能會低于閾值。有了這個閉鎖保護功能可以確保IGBT繼續(xù)在低電阻狀態(tài)。

智能門極驅(qū)動光耦，HCPL-316J和ACPL-33xJ，附帶DESAT檢測功能。當DESAT引腳上的電壓超過約7V的內(nèi)部參考電壓，而IGBT仍然在運行中，后約5μs，F(xiàn)ault引腳改成邏輯低狀態(tài)，以通知MCU/DSP。

在同一時間，那1X小粒晶體管會導通，把IGBT的柵極電平通過RG電阻來放電。由于這種晶體管比實際關斷晶體管更小約50倍，IGBT柵極電壓將被逐步放電導致所謂的軟關機。

光耦的工作環(huán)境溫度范圍

工作環(huán)境溫度范圍可達-40°C至105°C。在工業(yè)應用情況下是足夠的。如果客戶需要更高的工作溫度，R2 Coupler光耦可以運作在擴展溫度達到125°C。

光耦絕緣耐壓

門極驅(qū)動光耦有不同的封裝。每個封裝都有其自身的特點-如不同的爬電距離和間隙，以配合不同的應用。不同的爬電距離和間隙對應于不同的工作絕緣電壓，Viorm。最大Viorm從566V至2262V之間。

光耦柵極驅(qū)動器最高的輸出電流

根據(jù)選擇的器件型號，Avago的光耦門極驅(qū)動器最大輸出電流可以達到0.4A、0.6A、1.0A、1.5A、2.5A、3.0A、4.0A、5.0A。

本文通過7個方面對隔離驅(qū)動IGBT功率器件，在電路設計中如何避免短路、米勒效應等IGBT不良反應情況的出現(xiàn)的方法進行了介紹，本文內(nèi)容較多，對于初級入門的讀者來說可能要進行反復的閱讀，才能理解其中的知識，大家不妨收藏本文，方便隨時閱讀。