電壓型逆變器高壓串聯(lián)諧振技術(shù)研究

摘要：介紹了高壓串聯(lián)諧振技術(shù)的原理與應(yīng)用，分析了利用4046鎖相控制逆變器的結(jié)構(gòu)和啟動電路，同時對高壓變壓器寄生漏感與負載串聯(lián)諧振原理作了介紹。15kVA樣機測試結(jié)果表明，用該方法可以得到滿意的輸出波形，實現(xiàn)高

電壓型逆變器高壓串聯(lián)諧振技術(shù)研究

摘要：介紹了高壓串聯(lián)諧振技術(shù)的原理與應(yīng)用，分析了利用4046鎖相控制逆變器的結(jié)構(gòu)和啟動電路，同時對高壓變壓器寄生漏感與負載串聯(lián)諧振原理作了介紹。15kVA樣機測試結(jié)果表明，用該方法可以得到滿意的輸出波形，實現(xiàn)高

淡季效應(yīng)　液晶監(jiān)視器庫存壓力升高

集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 WitsView 日前發(fā)布最新調(diào)查，指出2010年5月份全球前十大液晶監(jiān)視器品牌商出貨總量約達1,075萬臺，相較于4月份MoM下滑4.2%。面對 IT市場淡季來臨，品牌業(yè)者們正面臨庫存升高壓力。

華虹NEC高壓BCD技術(shù)獲“2010年度中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獎

以“把脈戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)、共促市場合作共贏”為主題的2011年中國半導(dǎo)體市場年會暨產(chǎn)業(yè)合作與創(chuàng)新論壇 (IC Market China 2011) 于2011年3月2日在蘇州召開。大會公布了由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)

晶電高壓LED最新產(chǎn)品有望于2011上半年量產(chǎn)

晶電2010年推出的高壓LED，預(yù)估2011年上半年導(dǎo)入量產(chǎn)。晶電最新的高壓冷白光LED產(chǎn)品，發(fā)光效率提升到160流明/瓦(lm/W)以上，高壓暖白光LED產(chǎn)品發(fā)光效率則達170流明/瓦水準，公司預(yù)計將于2011年第二季到第三季間量產(chǎn)上

完美無諧波高壓IGBT變頻器

1前言國外某公司利用一種新的高壓變頻技術(shù)，生產(chǎn)出功率為315kW～10000kW的完美無諧波高壓變頻器（PERFECTHARMONY），無需附加輸出變壓器實現(xiàn)了直接3kV或6kV高壓輸出；首家在高壓變頻器中采用了先進的IGBT開關(guān)器件；達

Diodes開發(fā)出制造高壓整流器的專用平臺

Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆(Oldham)的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-LED電視電

Diodes 為下一代高壓整流器開發(fā)全新工藝平臺

21ic訊 Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-

Diodes 為下一代高壓整流器開發(fā)全新工藝平臺

21ic訊 Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-

一種新型高壓大功率小信號放大電路

摘要：簡要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號放大電路，并通過實驗驗證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動；高壓大功率 　 　

一種新型高壓大功率小信號放大電路

摘要：簡要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號放大電路，并通過實驗驗證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動；高壓大功率 　 　

一種新型高壓大功率小信號放大電路

摘要：簡要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號放大電路，并通過實驗驗證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動；高壓大功率 　 　

高壓大功率變換器拓撲結(jié)構(gòu)的演化及分析和比較

摘要：闡述了高壓大功率變換器拓撲結(jié)構(gòu)的發(fā)展，同時對它們進行了分析和比較，指出各自的優(yōu)缺點，其中重點介紹了級聯(lián)型拓撲結(jié)構(gòu)并給出了仿真波形。 關(guān)鍵詞：多電平變換器；拓撲結(jié)構(gòu)；高壓大功率 　 　 0 引言

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠

高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來，具有驅(qū)動電路和保護功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、

高壓諧振變壓器的研究

摘要：論述了諧振變壓器的原理，設(shè)計方法及研制中應(yīng)注意的幾個問題，并通過計算值與實測值對比的方法證明了文中計算公式的精確性和實用性。1前言　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，采用高壓諧振技術(shù)對大容量電氣設(shè)備進行工

高壓－低壓變換電路圖

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠