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與外殼直連的射頻模組接地處理技術(shù)探析
在射頻通信設(shè)備中，與外殼直連的模組接地設(shè)計直接決定信號完整性、電磁干擾(EMI)抑制能力及整機穩(wěn)定性。射頻信號的高頻特性使其對 grounding 阻抗、接觸穩(wěn)定性及回路完整性極為敏感，接地不良易導(dǎo)致信噪比下降、傳輸距離縮短、EMC 測試不達標等問題。本文結(jié)合工程實踐，從接地原理、核心設(shè)計要點、工藝實現(xiàn)及優(yōu)化方案等方面，系統(tǒng)闡述此類模組的接地處理方法。
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采用高頻特性的OP放大器的寬帶表頭驅(qū)動放大器
采用高頻特性的OP放大器的寬帶表頭驅(qū)動放大器
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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有效輸出50W、失真率真0.003％的厚膜合放大器電路
電路的功能由分立元件組成的功率放大器很容易獲得高性能，適用于大功率，但這種電路元件數(shù)量多，制作困難。而單片混合功率IC絕大部分的高頻特性又不大令人滿意，供工業(yè)上應(yīng)用的產(chǎn)品也不多。本電路已被三洋電機公司的
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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采用高頻特性好的OP放大器的寬帶表頭驅(qū)動放大器
電路的功能模擬電壓的測量，頻率在100KHZ以下時可以使用數(shù)字萬用表的交流電壓檔測量，但多數(shù)采用電平測量儀或毫伏級電壓計。電平測量儀的電路通常采用晶體管寬帶放大器。本電路介紹一種采用高頻特性好的OP放大器，以
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采用高頻特性好的OP放大器的寬帶表頭驅(qū)動放大器
電路的功能模擬電壓的測量，頻率在100KHZ以下時可以使用數(shù)字萬用表的交流電壓檔測量，但多數(shù)采用電平測量儀或毫伏級電壓計。電平測量儀的電路通常采用晶體管寬帶放大器。本電路介紹一種采用高頻特性好的OP放大器，以
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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有效輸出50W、失真率真0.003％的厚膜合放大器
電路的功能由分立元件組成的功率放大器很容易獲得高性能，適用于大功率，但這種電路元件數(shù)量多，制作困難。而單片混合功率IC絕大部分的高頻特性又不大令人滿意，供工業(yè)上應(yīng)用的產(chǎn)品也不多。本電路已被三洋電機公司的
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實用化加速
大日本印刷（DNP）為促進采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer）封裝技術(shù)的實用化，于2010年1月推出了設(shè)計評測用標準底板。該公司此前曾為不同項目個別提供過評測底板，而此次標準底板的價格為原來的一半以下。并
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