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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

時(shí)間：2010-05-09 11:46:15

關(guān)鍵字：放大器功率MOSFET 高頻特性晶體管

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[導(dǎo)讀]電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

電路的功能

用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。本電路能連續(xù)輸出100~150W并能承受負(fù)載短路。

電路工作原理

基本電路組成與限流保護(hù)電路的100W功率放大器相同，第二差動(dòng)級是輸出用的功率MOSFET，2SJ77，電流密勒電路使用了2SK214。雖然工作電流只有6MA，但是，因?yàn)殡娫措妷焊哌_(dá)正負(fù)50V，晶體管會(huì)發(fā)熱，于是安裝了小型散熱片。

輸出級采用直接驅(qū)動(dòng)方式，由于不經(jīng)射極輸出器緩沖，驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載就加重了，如果轉(zhuǎn)換速度需要提高，可以TT5-6的允許損耗范圍內(nèi)盡量加大漏級偏置電流。

功率MOSFET經(jīng)常產(chǎn)生高頻振蕩，要抑制振蕩比較困難，簡單的措施是在柵極串聯(lián)電阻★標(biāo)志的RO，但這要犧牲一些高頻特性，RO的阻值隨所用元件而異，通常在50~500歐之間。

與單極晶體管相比，輸出電路的電壓損耗很大，電源電壓應(yīng)有所提高。出于輸出電路的損耗電壓取決于功率MOSFET的通態(tài)電阻，在大電流條件下工作，這個(gè)問題是不可忽視的，所以采用了多管并聯(lián)的方式加以解決。

元件的選用

因?yàn)镕ET的VOB~ID特性一致性較差，所以TT5和TT6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15應(yīng)盡量選用傳輸特性不同的產(chǎn)品，偶數(shù)高效諧波就會(huì)增多。

電路中即使沒有源極電阻R2A~R31也能工作，但是該電路如用作電流檢測并使用色碼繞線電阻，其電感成分不容忽略，這時(shí)不宜在高頻條件下工作。

調(diào)整

第一差動(dòng)的工作電流可用輸入級的置偏電流來調(diào)整，若降低R7，電流就會(huì)增大，轉(zhuǎn)換速度也可加快，如果R1級等于R11，失調(diào)電壓就會(huì)減小，要完全調(diào)零，必須在TT1.2的射極電路中加可變電阻。

輸出級的偏流由VR1調(diào)整，每個(gè)輸出晶體管的漏極電流平均為100MA左右。

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