CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
光柵傳感器的作用是能夠?qū)崿F(xiàn)精密測量,其測量原理建立在莫爾條紋的基礎上。由于光的干涉效應,將等柵距的兩塊光柵以微小夾角重疊在一起,可以看到在近似垂直柵線方向上出現(xiàn)明暗相間的條紋,稱為莫爾條紋,如圖1所示:
光柵傳感器的作用是能夠?qū)崿F(xiàn)精密測量,其測量原理建立在莫爾條紋的基礎上。由于光的干涉效應,將等柵距的兩塊光柵以微小夾角重疊在一起,可以看到在近似垂直柵線方向上出現(xiàn)明暗相間的條紋,稱為莫爾條紋,如圖1所示:
1. 火焰探測報警器? 圖 8 - 23 是采用硫化鉛光敏電阻為探測元件的火焰探測器電路圖。 硫化鉛光敏電阻的暗電阻為1 MΩ, 亮電阻為 0.2 MΩ(光照度 0.01 W/m2下測試的),峰值響應波長為2.2μm。 硫化鉛光
TCD1206是一款高靈敏度、低暗電流、2 160像元的雙溝道線陣CCD圖像傳感器。由2 236個PN結光電二極管構成光敏元陣列,其中前64個和后12個是用作暗電流檢測而被遮蔽的,中間2 160個光電二極管是曝光像敏單元,每個光
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
瑞典皇家科學院6日宣布,將2009年諾貝爾物理學獎授予英國華裔科學家高錕以及美國科學家威拉德·博伊爾和喬治·史密斯。伴隨著數(shù)碼相機、帶有攝像頭的手機等電子設備風靡全球,人類已經(jīng)進入了全民數(shù)碼影像
0 引 言 電荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)是20世紀70年代初發(fā)展起來的新型半導體集成光電器件。作為一種新型的MOS器件,與普通MOS器件相比,具有集成度更高、功耗更低、設計更簡單、制造工序更少等優(yōu)
0 引 言 電荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)是20世紀70年代初發(fā)展起來的新型半導體集成光電器件。作為一種新型的MOS器件,與普通MOS器件相比,具有集成度更高、功耗更低、設計更簡單、制造工序更少等優(yōu)
隨著CCD性能的不斷提高,CCD技術在軍、民用領域都得到了廣泛的應用。介紹了TCDl501C線陣CCD的驅(qū)動電路設計,詳細介紹了用VHDL完成的CCD圖像傳感器驅(qū)動時序設計和視頻輸出差分信號驅(qū)動電路的設計。
詳細介紹TC237的主要特點,引腳功能和結構原理,最后給出TC237B在嵌入式圖像采集系統(tǒng)中的具體應用實例。
本文以TCD1501C型CCD圖像傳感器為例.介紹了其性能參數(shù)及外圍驅(qū)動電路的設計.
μPD3575D是NEC公司生產(chǎn)的一種高靈敏度、低暗電流、1024像元的內(nèi)置采樣保持電路和放大電路的線陣CCD圖像傳感器。
闡述了CCD圖像傳感器在微光電視系統(tǒng)中的應用