在5nm及以下先進(jìn)工藝節(jié)點中,集成電路物理驗證面臨三維FinFET結(jié)構(gòu)、多重曝光技術(shù)等復(fù)雜挑戰(zhàn)。Calibre作為業(yè)界主流的物理驗證工具,通過其DRC(設(shè)計規(guī)則檢查)與LVS(版圖與原理圖一致性檢查)功能,成為確保芯片可制造性的核心環(huán)節(jié)。本文以TSMC 5nm工藝為例,系統(tǒng)闡述基于Calibre的驗證流程與修復(fù)策略。
突破性能天花板,成本超乎你想象,和ST一起揭開STM32C5的神秘面紗
一天學(xué)會Allegro進(jìn)行4層產(chǎn)品PCB設(shè)計-高效實用
老九零基礎(chǔ)學(xué)編程系列之C語言
何呈—手把手教你學(xué)ARM之LPC2148(下)
零基礎(chǔ)電路學(xué)(上部)
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號