韓國三星官方在18日宣布,量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。
繼三星和美光之后,韓國存儲器大廠SK海力士也決定放緩江蘇無錫DRAM新廠原訂每月高達18萬片產(chǎn)能的增產(chǎn)腳步。SK海力士原本計劃于今年的第3季度,全面開始運營其位于江蘇無錫的C2F DRAM制造工廠,建
7月18日消息 據(jù)三星官方消息,三星宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM,該DRAM已針對未來智能手機中的5G和AI功能進行了優(yōu)化。此外三星還計劃本月末開始批量生產(chǎn)12GB的LPDDR5封裝,每個封裝都包含8個12Gb芯片,以滿足高端智能手機制造商對更高智能手機性能和容量的需求。
據(jù)Bernstein數(shù)據(jù)顯示,7月9日以來,DRAM現(xiàn)貨價上漲了大約12%,這是2017年以來最大的升幅。
7月15日,匯豐駐韓國半導(dǎo)體及OLED產(chǎn)業(yè)分析師Ricky Seo表示,日韓貿(mào)易戰(zhàn)對存儲器產(chǎn)業(yè)的影響是好是壞,取決于僵局的延續(xù)時間。
最近內(nèi)存市場(閃存也一樣)出現(xiàn)了多種復(fù)雜因素,除了全球貿(mào)易這個大環(huán)境因素之外,還有內(nèi)存不斷跌價、日韓半導(dǎo)體材料糾紛等問題,原本預(yù)期Q3季度內(nèi)存還會繼續(xù)跌15%的價格,但上周內(nèi)存現(xiàn)貨價格出現(xiàn)了10個月來首次上漲。
韓國媒體報道,由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。中國市場是SK海力士最大的海外市場,去年中國區(qū)營收占了40
IC Insights近期更新了報告,并修訂了截至2023年的全球經(jīng)濟和IC行業(yè)預(yù)測,其中包括了對今年和預(yù)測時間內(nèi)的資本支出和DRAM市場趨勢的回顧。
三星電子5日發(fā)布初步財報,盈利為65000億韓元,與去年同期相比,下滑幅度高達56.29%,韓媒《朝鮮日報》指出,存儲器價格下滑是半導(dǎo)體事業(yè)不振的主因,下半年OLED需求復(fù)蘇,有望帶動三星電子盈利。
中國紫光集團上月底正式發(fā)文公告籌組DRAM事業(yè)群,南亞科前總經(jīng)理、武漢新芯執(zhí)行長高啟全也將加入紫光集團的DRAM事業(yè)群,有中國媒體報導(dǎo),由于高啟全將加入紫光集團, 目前聯(lián)電前執(zhí)行長孫世偉傳出已經(jīng)進入武漢新芯協(xié)助高啟全,孫世偉未來更可能會接下武漢新芯執(zhí)行長一職,讓高啟全全力投入紫光的DRAM發(fā)展。
幾年前的美光,可謂是腹背受敵,不僅在加工技術(shù)方面飽受爭議,市場銷量競爭也不及其他企業(yè)。今天,該公司雖在很多方面不敵三星,但相較SK海力士而言已經(jīng)能夠迎頭趕上。一路奮起直追的美光,在今年4月,為了應(yīng)對DRAM和新工藝技術(shù)需求的增長,開始在臺灣臺中附近的園區(qū)正式動工,打造新的無塵室來進行內(nèi)部研發(fā)。
7月1日消息 紫光集團宣布組建DRAM事業(yè)群,刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。
6月26日,美光科技發(fā)布了公司2019財年第三財季報告。報告顯示,美光科技第三財季營收為47.88億美元,相比之下去年同期的營收為77.97億美元;凈利潤為8.40億美元,與去年同期的38.23億美元相比下降78%。
IP公司力旺電子25日宣布其一次可編程(OTP)存儲器硅智財NeoFuse成功導(dǎo)入華邦電25納米DRAM制程平臺,且即將進入量產(chǎn)階段,有助于客戶在車用、工業(yè)、5G通信等新的市場應(yīng)用取得先機。
在消費級市場站穩(wěn)腳跟之后,慧榮(SMI)也在嘗試進入企業(yè)級市場,近日就披露了下一代企業(yè)級SSD主控方案“SM8108”。
6月19日,據(jù)日煤報導(dǎo),由于美國對華為的禁令,美光延遲了在日本廣島的新廠投資計劃。
DRAM內(nèi)存芯片也連跌三個季度了,三星、美光、SK Hynix公司內(nèi)存業(yè)務(wù)的營收及盈利大幅下滑,不得不削減產(chǎn)能以減少供應(yīng),業(yè)界預(yù)期下半年內(nèi)存市場會恢復(fù)正常。Winbond華邦電子上周末召開了股東會,董事長焦佑鈞表示內(nèi)存芯片供不應(yīng)求的時代過去了,今年市場會萎縮,不過下半年的情況會比上半年好,產(chǎn)能利用率已經(jīng)從Q1季度的不足80%回升到了85%了。
利基型存儲器廠華邦電近日召開股東會,總經(jīng)理詹東義表示,今年希望對主要客戶的滲透率持續(xù)成長,自行開發(fā)的20納米制程DRAM技術(shù)將于明年底到位,未來將在高雄新廠投產(chǎn)。
動態(tài)存儲器的一個顯著特點就是存儲的數(shù)據(jù)具有易失性,必須在規(guī)定時間內(nèi)對其刷新。
沒有最低,只有更低。這句話用在存儲領(lǐng)域最為合適。閃存與內(nèi)存的價格持續(xù)下跌,目前在售固態(tài)硬盤已經(jīng)來到了歷史最低價位,甚至折算下來0.5元/GB的SSD型號也屢見不鮮。