首款2nm芯片三星Exynos 2600沒有集成5G基帶:需要單獨外掛
SRAM與DRAM的區(qū)別
TrendForce集邦咨詢: DDR5高獲利放大產(chǎn)能排擠效應,2026年HBM3e定價動能同步轉(zhuǎn)強
三星晶圓代工市場份額跌破7% 積極與AMD洽談2nm訂單
TrendForce集邦咨詢: 預計2026年第一季度存儲器漲勢持續(xù)強勁,智能手機、筆電品牌啟動價格上修與規(guī)格降級
三星、SK海力士、美光聯(lián)手放縱內(nèi)存漲價!
華邦電子推出先進 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 專為工業(yè)與嵌入式應用而生
三星、SK海力士拒絕擴大內(nèi)存產(chǎn)量:賺錢優(yōu)先
三星電子整合HBM技術路線 核心團隊并入DRAM開發(fā)體系
TrendForce集邦咨詢: 2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%,達414億美元
用FPGA或SOC實現(xiàn)DDR內(nèi)存控制器
預算:¥1100000基于Xilinx FPGA硬件開發(fā)RISCV系統(tǒng)開發(fā)
預算:¥50000