英飛凌確認(rèn)將實施“輕晶圓廠”策略

英飛凌董事長兼首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前確認(rèn)，該公司不會興建90納米以下的產(chǎn)能，而是向“輕晶圓廠”(fab-lite)策略轉(zhuǎn)變。 Ziebart在接受《EE Times》電話采訪時公開表示懷疑會有多少公司將經(jīng)營自己的6

三星3億美元了結(jié)內(nèi)存價格操縱案 金額創(chuàng)紀(jì)錄

瑞薩將退出NAND閃存市場 可能分拆閃存部門

供給過剩 DRAM跌價趨勢已漸成形

DRAM市場買氣低迷不振，但由于供給端新產(chǎn)能一直快速開出，根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，DRAM全球供給量月成長率已經(jīng)連兩個月達(dá)10%幅度，所以在供給量持續(xù)增加，需求量持續(xù)消退下，11月以來價格頻頻下滑，跌價趨勢已漸成形。

英飛凌本周開會將決定DRAM事業(yè)部前途走向

英飛凌和南亞科技擴(kuò)大合作范圍

王寧國能否給華虹帶來巨變

內(nèi)存價格半年跌40% 臺內(nèi)存商目光轉(zhuǎn)投閃存

據(jù)臺灣內(nèi)存廠商透露，由于自今年初以來，內(nèi)存的價格經(jīng)歷了重大下挫，所以這些內(nèi)存廠商已經(jīng)開始將目光投在閃存市場上，其中茂德科技(ProMOSTechnologies)已經(jīng)設(shè)立了一家NAND閃存存儲卡封裝合資廠，而華邦(Winbond)則收

力晶用第二座12英寸廠　將導(dǎo)入90納米制程

6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠正式啟用，2000年時其第一座12英寸廠正式動土，董事長黃崇仁便許下諾言，未來投資我國臺灣絕對不會因經(jīng)濟(jì)因素而有所改變，并承諾接下來每2年要再興建1座全新12英寸廠，如今在12A及12B廠

英飛凌挑戰(zhàn)三星現(xiàn)代 顯存成本有望大降

歐洲芯片廠商正以多元化策略奮力擺脫低迷

深陷困境的芯片產(chǎn)業(yè)正在奮力擺脫再度低迷的格局，產(chǎn)品供過于求，價格下滑局面失控，德國英飛凌(InfineonTechnologies)等科技廠商需要謀劃新策略渡過難關(guān)。 堅守在先進(jìn)科技前沿的壓力不斷加大，但建立新廠最多需要25億

現(xiàn)代意法160億合建無錫工廠 年底投產(chǎn)

現(xiàn)代籌備3.4億美元應(yīng)對DRAM壟斷指控

Infineon和Rambus解決所有法律訴訟

臺12英寸芯片廠超10座 表露搶攻決心

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摩爾定律的前70年