DRAM

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IBM首席技術(shù)官：相變存儲(chǔ)技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會(huì)在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入使用。Menon稱IBM將

嵌入式硬件
2014-07-20

IBM 存儲(chǔ)技術(shù) DRAM PCM芯片
Gartne：2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可成長(zhǎng)6.7%

國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner 發(fā)布最新預(yù)測(cè)， 2014年全球半導(dǎo)體銷售業(yè)績(jī)將穩(wěn)步達(dá)到3,360億美元，較2013年成長(zhǎng)6.7%，高于上一季所預(yù)測(cè)的5.4%。2014年第二季較諸前一季之成長(zhǎng)幅度已超出預(yù)期，連同晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSM

模擬
2014-07-15

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) GARTNER DRAM
DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時(shí)日

磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時(shí)被提出來(lái)的。但是眾所周知，內(nèi)存讀寫的速度需要達(dá)到磁盤讀寫的速度的100萬(wàn)倍，所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計(jì)看起來(lái)并不復(fù)雜，但是對(duì)材料的要求比較

消費(fèi)電子
2014-07-09

內(nèi)存 ST SPI DRAM
產(chǎn)業(yè)專家：MRAM的時(shí)代還沒(méi)來(lái)！

磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代DRAM與SRAM的潛力，但就連市場(chǎng)上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為，這種取代的過(guò)程得花上好一段時(shí)間。一份來(lái)自資料儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)機(jī)構(gòu)CoughlinAssociat

半導(dǎo)體
2014-07-09

RAM SPI EV DRAM
因DRAM價(jià)格下跌三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2

嵌入式硬件
2014-07-08

半導(dǎo)體三星計(jì)算機(jī) DRAM
存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將依賴臺(tái)廠

日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加，但相較上季卻是明顯縮水，主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求不振的影響，未來(lái)爾必達(dá)

嵌入式硬件
2014-07-08

存儲(chǔ)器爾必達(dá) MOBILE DRAM
DRAM下季合約價(jià)喊漲

DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠制程推進(jìn)受阻，主流DDR34Gb顆粒現(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng)近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，本季DRAM

半導(dǎo)體
2014-07-08

存儲(chǔ)器 GB DDR3 DRAM
NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代

不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問(wèn)題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)

智能硬件
2014-07-07

Flash 電容器 NAND DRAM
NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代

不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問(wèn)題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)

消費(fèi)電子
2014-07-07

Flash 電容器 NAND DRAM
系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價(jià)續(xù)揚(yáng)2-5%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤(rùn)極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲

消費(fèi)電子
2014-07-07

Flash NAND OEM DRAM
NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤(rùn)極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)

消費(fèi)電子
2014-07-07

Flash NAND OEM DRAM
DRAM合約價(jià)明顯上漲估下半年需求增溫

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月下旬合約價(jià)持平，4GB均價(jià)為30.5美元，換算顆粒價(jià)格約為3.5美元，與現(xiàn)貨價(jià)格(DDR3 4Gb 512M

嵌入式硬件
2014-07-03

PC OEM EXCHANGE DRAM
專家：磁阻式隨機(jī)存取記憶體的時(shí)代還沒(méi)來(lái)

磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力，但就連市場(chǎng)上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為，這種取代的過(guò)程得花上好一段時(shí)間。

嵌入式硬件
2014-07-03

磁阻 SPI EV DRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-06-30

SRAM POS FIFO DRAM
預(yù)測(cè)：2014全球IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收一覽

根據(jù)TRI觀察，2014上半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)受惠于中國(guó)大陸與新興市場(chǎng)智慧手機(jī)需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來(lái)LCDTV需求等三大因素，拉動(dòng)了智慧手機(jī)晶片、驅(qū)動(dòng)IC及電視SoC晶片之營(yíng)收持續(xù)高漲，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少

半導(dǎo)體
2014-06-30

LTE IC設(shè)計(jì) DRAM
消息稱爾必達(dá)正考慮收購(gòu)臺(tái)灣DRAM廠

排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida Memory)，正考慮收購(gòu)臺(tái)灣DRAM同業(yè)以鞏固自身市場(chǎng)地位?彭博社(Bloomberg)的一篇報(bào)導(dǎo)指出，由臺(tái)灣

嵌入式硬件
2014-06-26

爾必達(dá) MOTO CHIP DRAM
美光多元化布局不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào)，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營(yíng)收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意

嵌入式硬件
2014-06-24

存儲(chǔ)器美光計(jì)算機(jī) DRAM
爾必達(dá)傳來(lái)臺(tái)發(fā)TDR 闖關(guān)恐不易

臺(tái)灣TDR市場(chǎng)有機(jī)會(huì)再添一檔重量級(jí)新兵!券商圈傳出日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)有意來(lái)臺(tái)申請(qǐng)TDR掛牌，藉此拓展多元化的募資管道。然而，據(jù)了解，券商界目前為止尚無(wú)人籌組承銷

嵌入式硬件
2014-06-24

爾必達(dá) PID DRAM
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元

嵌入式硬件
2014-06-22

控制器嵌入式系統(tǒng) CPLD DRAM
美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”

憑借長(zhǎng)達(dá) 12 年服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的敬業(yè)精神以及在促進(jìn)下一代移動(dòng)低功耗 DRAM 技術(shù)發(fā)展方面所起的重要作用，Daniel Skinner 贏得技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者們的一致贊譽(yù)。21ic訊—BOISE，2014 年 6 月 19 日 — 美

智能硬件
2014-06-20

半導(dǎo)體移動(dòng) JEDEC DRAM

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DRAM

IBM首席技術(shù)官：相變存儲(chǔ)技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

Gartne：2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可成長(zhǎng)6.7%

DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時(shí)日

產(chǎn)業(yè)專家：MRAM的時(shí)代還沒(méi)來(lái)！

因DRAM價(jià)格下跌三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將依賴臺(tái)廠

DRAM下季合約價(jià)喊漲

NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代

NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代

系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價(jià)續(xù)揚(yáng)2-5%

NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)

DRAM合約價(jià)明顯上漲估下半年需求增溫

專家：磁阻式隨機(jī)存取記憶體的時(shí)代還沒(méi)來(lái)

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

預(yù)測(cè)：2014全球IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收一覽

消息稱爾必達(dá)正考慮收購(gòu)臺(tái)灣DRAM廠

美光多元化布局不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品

爾必達(dá)傳來(lái)臺(tái)發(fā)TDR 闖關(guān)恐不易

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”

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