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先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下Calibre的DRC/LVS檢查與物理驗(yàn)證修復(fù)流程
在5nm及以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中，集成電路物理驗(yàn)證面臨三維FinFET結(jié)構(gòu)、多重曝光技術(shù)等復(fù)雜挑戰(zhàn)。Calibre作為業(yè)界主流的物理驗(yàn)證工具，通過其DRC（設(shè)計(jì)規(guī)則檢查）與LVS（版圖與原理圖一致性檢查）功能，成為確保芯片可制造性的核心環(huán)節(jié)。本文以TSMC 5nm工藝為例，系統(tǒng)闡述基于Calibre的驗(yàn)證流程與修復(fù)策略。
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