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兩款驅(qū)動放大器（TriQuint）
TriQuint 半導(dǎo)體公司推出兩款驅(qū)動放大器 --- TGA4943-SL（40Gb/s）和TGA4956-SM（10Gb/s）。TGA4943-SL是用于下一代40Gb/s光通信網(wǎng)絡(luò)的首款表面貼裝技術(shù)（SMT）器件，這款高性能器件將可簡化裝配，并大幅降低功耗，使
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LSI SAS技術(shù)支持逾80種新型服務(wù)器與工作站模型
LSI SAS技術(shù)支持逾80種新型服務(wù)器與工作站模型
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2009年DRAM市場位成長率下修至2.43%
全球DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)了長達(dá)兩年的景氣寒冬，大部分的DRAM廠面臨了現(xiàn)金吃緊與短期負(fù)債償還的問題，在現(xiàn)金壓力之下，集邦科技預(yù)估由于部份DRAM廠商直到年底產(chǎn)能率用率都將維持低于50%，因此2009年的位成長率將僅只有2.43%
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三星電子開始供貨采用50nm工藝制造的2Gbit DDR3方式DRAM模塊
韓國三星電子宣布，已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面
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爾必達(dá)量產(chǎn)50nm工藝2Gb Mobile RAM存儲顆粒
日本爾必達(dá)公司近日宣布，已經(jīng)在其廣島晶圓廠開始批量生產(chǎn)50nm工藝2Gb Mobile RAM存儲顆粒。 超低功耗的Mobile RAM內(nèi)存主要用在手機(jī)或掌上影音設(shè)備、移動互聯(lián)網(wǎng)終端中。爾必達(dá)的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底開發(fā)完
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40GbE和100GbE測試解決方案（泰克）
新模塊提供了最佳的信號保真度、四倍快的采集速率， 并支持所有關(guān)鍵的40G和100G光通信標(biāo)準(zhǔn)，有效降低測試成本
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電信運(yùn)營商坦言面臨廣電NGB壓力
C114 3月27日消息（于藝婉）在前不久廣電CCBN展會上，NGB絕對是關(guān)鍵詞之一。在近日召開的中國寬帶應(yīng)用發(fā)展大會上，電信運(yùn)營商也首度對NGB表態(tài)。中國聯(lián)通集團(tuán)P2P網(wǎng)絡(luò)技術(shù)組組長馬少武表示，NGB給電信運(yùn)營商再造成了很
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AT&T將出售iPhone 3G裸機(jī) 不綁約貴400美元
3月23日消息，蘋果(Apple)決定今年夏天推出iPhone OS 3.0之后，美國電信運(yùn)營商AT&T也確定3月26日開始出售iPhone 3G裸機(jī)。據(jù)國外媒體報道，AT&T表示，8Gb及16Gb的iPhone 3G裸機(jī)分別售價為599美元及699美元。雖然比原先
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張海濤：十年建成下一代廣播電視網(wǎng)
3月20日上午，CCBN2009主題報告會在北京召開。會上，國家廣電總局副局長張海濤表示，國家廣電總局計劃和科技部將用三年時間在重點(diǎn)城市建設(shè)下一代廣播電視(NGB)規(guī)模試驗網(wǎng)絡(luò)，用十年左右的時間將NGB擴(kuò)展到全國，可以向
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東芝遷移晶圓工廠 提高產(chǎn)量降低成本
全球第二大閃存制造商東芝公司本周二表示，未來兩年將提高固態(tài)硬盤（SSD）生產(chǎn)量15倍，并計劃將基于閃存的存儲設(shè)備組裝工廠從日本遷移到菲律賓，借此成為全球最大的固態(tài)硬盤（SSD）提供商。 東芝將從今年第二季度開
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DRAM庫存問題嚴(yán)重 減產(chǎn)也難挽救
1Gb容量DDR2價格持續(xù)回軟，已破2009年最低點(diǎn)的位置，但整個市場交易仍是相當(dāng)冷清，存儲器業(yè)者認(rèn)為，不論DRAM價格有沒有破最低點(diǎn)，其實已經(jīng)不重要了，因為交易量真的非常少，如果要DRAM廠再以低價賣出顆粒，干脆大家廠
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