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射頻前端電路的集成化：SOI與GaAs工藝的對(duì)比與5G毫米波應(yīng)用
5G通信技術(shù)快速發(fā)展，射頻前端電路的集成化成為關(guān)鍵技術(shù)突破點(diǎn)。作為支撐高頻段、高帶寬通信的核心組件，射頻前端模塊的性能直接決定了信號(hào)傳輸質(zhì)量與設(shè)備能效。SOI(絕緣體上硅)與GaAs(砷化鎵)作為兩種主流工藝，在5G毫米波應(yīng)用中展現(xiàn)出差異化優(yōu)勢(shì)。本文將從工藝原理、電路設(shè)計(jì)、性能參數(shù)及典型應(yīng)用場(chǎng)景展開對(duì)比分析。
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CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs
全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術(shù)趨勢(shì)：2008-2013”的報(bào)告，指出開發(fā)用于手機(jī)的CMOS功率放大器的廠商越來(lái)越多。 該報(bào)告
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利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵?？刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過(guò)濾和低溫冷卻，但低噪聲放大器的良好性能，提供了一種被實(shí)踐所驗(yàn)證的可
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設(shè)計(jì)一款超低噪聲的S頻段放大器
工程師們一般都把RF低噪聲放大器設(shè)計(jì)視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性，甚至使人畏懼。不過(guò)，采用最新的GaAs(砷化鎵)異質(zhì)結(jié)FET，可以設(shè)計(jì)出有高
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基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)
0 引言PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點(diǎn)，特別適合于
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詳解基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)
PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點(diǎn)，特別適合于制作性能
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研究人員發(fā)現(xiàn)降低GaAs電路成本的新方法
MIT研究人員發(fā)現(xiàn)一種用于大規(guī)模生產(chǎn)昂貴電路的新型「復(fù)制/貼上」方法，在制造上覆石墨稀的「供體」晶圓后，采用「沉積-剝離」的方式，降低電路與下層晶圓的成本。
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