GaN器件

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GaN器件在緊湊型適配器中的應(yīng)用：高頻開關(guān)與EMI挑戰(zhàn)解決方案

用戶對充電效率與設(shè)備便攜性的雙重需求催生了緊湊型適配器的技術(shù)革新。氮化鎵(GaN)器件憑借其高頻開關(guān)特性與低損耗優(yōu)勢，成為突破傳統(tǒng)硅基適配器性能瓶頸的核心技術(shù)。然而，高頻開關(guān)帶來的電磁干擾(EMI)問題，以及緊湊設(shè)計(jì)下的散熱與可靠性挑戰(zhàn)，成為制約GaN適配器大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素。本文結(jié)合實(shí)際案例與技術(shù)數(shù)據(jù)，系統(tǒng)闡述GaN器件在緊湊型適配器中的高頻開關(guān)優(yōu)勢及EMI解決方案。

電源
2025-10-23

GaN器件適配器
ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC

采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級柵極驅(qū)動技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能

ROHM
2023-10-19

數(shù)據(jù)中心柵極驅(qū)動器 GaN器件
ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術(shù)

將GaN器件與控制IC相結(jié)合，助力電源應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能和小型化

ROHM
2023-03-07

電源電路控制IC GaN器件
世代更替

人類世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺得這是因?yàn)樽帜敢呀?jīng)被用光了。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，世代的發(fā)展較快，從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。

UnitedSiC
2022-10-24

UnitedSiC UnitedSiC SiC FET GaN器件
ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

～解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的電源實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化～

ROHM
2021-04-08

ROHM 柵極耐壓技術(shù) GaN器件
淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系

在我們現(xiàn)在的日常生活中，每天都有不斷增長的數(shù)據(jù)被產(chǎn)生、存儲及服務(wù)，而社交網(wǎng)絡(luò)、在線視頻、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和汽車高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)則是這些數(shù)據(jù)尤其主要的貢獻(xiàn)者。以ADAS為例，數(shù)據(jù)存儲咨詢公

通信網(wǎng)絡(luò)
2020-07-06

物聯(lián)網(wǎng) 數(shù)據(jù)中心 gan器件

GaN器件

GaN器件在緊湊型適配器中的應(yīng)用：高頻開關(guān)與EMI挑戰(zhàn)解決方案

ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC

ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術(shù)

世代更替

ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系

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