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膽機CS8412+PCM63經典設計(模擬部分)電路圖
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膽機CS8412+PCM63經典設計(電源部分)電路圖
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膽機cs8412+df1700+pcm58組合，廉價好聲的電路電路圖
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恒憶與英特爾推動可擴展式大容量相變存儲產品的開發(fā)
國際電子商情訊 相變存儲(PCM)是一項結合了現(xiàn)今多種存儲產品類型的不同優(yōu)點的非易失性內存技術，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片
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PCM2702與BH141 7的USB音頻發(fā)射系統(tǒng)
引 言 USB(Universal Serial Bus)即通用串行總線，是一種新型的數(shù)據(jù)通信技術。當采用USB接口連接設備與計算機時，無需重新設置系統(tǒng)，也不必打開機殼來調整接口卡的指撥開關，計算機會自動識別接口設備，同時下
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基于TMS320C6713的多路CVSD語音編解碼
64 Kb／s的A律或μ律的對數(shù)壓擴PCM編碼在大容量的光纖通信系統(tǒng)和數(shù)字微波系統(tǒng)中已得到廣泛應用，但由于占用較大的傳輸帶寬和具有復雜的成幀結構。連續(xù)可變斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)調
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基于TMS320C6713的多路CVSD語音編解碼
64 Kb／s的A律或μ律的對數(shù)壓擴PCM編碼在大容量的光纖通信系統(tǒng)和數(shù)字微波系統(tǒng)中已得到廣泛應用，但由于占用較大的傳輸帶寬和具有復雜的成幀結構。連續(xù)可變斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)調
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相變存儲研究取得關鍵性突破
相變存儲 (PCM) 是一項結合了現(xiàn)今多種存儲產品類型的不同優(yōu)點的非易失性內存技術，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 日前宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM
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恒憶與英特爾在相變存儲技術上取得里程碑式成果
相變存儲 (PCM) 是一項結合了現(xiàn)今多種存儲產品類型的不同優(yōu)點的非易失性內存技術，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM
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三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排
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PCM才是閃存之后真正的下一代存儲器技術
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器（FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一
