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采用定向耦合器和RF對數(shù)放大器實現(xiàn)VSWR的檢測和保護
電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)是用于描述電路阻抗失配程度的參數(shù)。差的VSWR可能引起RF電路中的許多問題。VSWR引起的最壞情況是RF/微波高功率放大器(HPA)的永久性損壞，這通常被稱為VSWR故障。因此，
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符合ZigBee協(xié)議的RF解決方案的實現(xiàn)
降低單位成本和功耗是用于短距離無線通信系統(tǒng)中的RF-IC新品開發(fā)的主要驅(qū)動力。使用性價比高的CMOS技術(shù)并采用具有高集成度的發(fā)射器與接受器結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)低成本，低功耗的關(guān)鍵。此外，CMOS技術(shù)的使用，使得用于無線通信的真正意義上的系統(tǒng)級芯片(SOCs)的實現(xiàn)變?yōu)榭赡?。對于IEEE802.15.4/ZigBee所強調(diào)的市場，SOCs因其可以節(jié)省整個系統(tǒng)的成本，所以越來越受到重視和期待。
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藍牙芯片公司CSR與SiRF宣布合并計劃
藍牙芯片設(shè)計公司CSR和全球定位系統(tǒng)芯片設(shè)計公司美國SiRF公司(SiRF Technology Holdings, Inc.)，日前宣布了二者交換持股的合并計劃。 合并后的公司將成為全球排名前十的無晶圓廠芯片設(shè)計公司，預計年收入約10億
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FTTH：美國時代華納比較傾EPON技術(shù)
日前，美國時代華納有線電視公司就針對新建環(huán)境的FTTH網(wǎng)絡(luò)建設(shè)公開征求解決方案和建議。時代華納有線電視公司要求供應商就RFOG(RFoverGlass)，EPON，10G EPON， Docsis解決方案等的技術(shù)，價格，產(chǎn)品演進路線做出說明
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SiRF公司侵犯博通公司3項GPS相關(guān)專利裁決確認
全球有線和無線通信半導體市場的領(lǐng)導者Broadcom（博通）公司近日宣布，美國國際貿(mào)易委員會(ITC)已經(jīng)確認了其行政法法官關(guān)于SiRF技術(shù)控股公司侵犯了Broadcom（博通）公司全資子公司Global Locate公司所持有的另外3項G
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太陽能采集套件（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布針對工業(yè)、交通、農(nóng)業(yè)以及商業(yè)等多領(lǐng)域應用推出一款可將環(huán)境光轉(zhuǎn)換為電源的太陽能采集 (SEH) 開發(fā)套件，從而充分滿足了無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計人員對可替代能源的需求。尺寸僅為信用卡大小的 eZ4
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美國國際貿(mào)易委員會禁止進口SiRF的GPS芯片
美國國際貿(mào)易委員會日前裁定，SiRF Technology Holdings侵犯了博通(Broadcom)的三項全球定位系統(tǒng)專利，并禁止進口SiRF的侵權(quán)產(chǎn)品。美國國際貿(mào)易委員會(ITC)表示，維持ITC行政法法官稍早的裁決，即SiRF的芯片侵犯了博
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AT&T和Verizon評級遭調(diào)降 周一股價雙雙下跌
北京時間1月6日消息，據(jù)國外媒體報道，美國投資公司Bernstein Research分析師克雷格·莫菲特(Craig Moffett)周一在一份投資報告中稱，下調(diào)美國知名電信運營商AT&T和Verizon通信公司的股票評級，并調(diào)低兩家公司
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AOC展示厚度18.5mm的超薄液晶顯示器
12月23日AOC公司在上海展示其厚度僅為18.5mm的全球最薄環(huán)保液晶顯示器“Verfino鋒·尚”，并現(xiàn)場進行了產(chǎn)品互動演示。 據(jù)悉，此款顯示器的厚度只有同類產(chǎn)品的1/3，刷新了顯示器厚度的世界紀錄。同時，采用絕對無汞材
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創(chuàng)新者是ISSCC的寵兒
在12月1日舉行的ISSCC 2009上海推介會上獲悉，第56屆 ISSCC 會議（ISSCC 2009）將于2009年2月在美國舊金山舉行，其中Memory、低功耗高性能數(shù)字電路、RF、Wireless、Analog和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換技術(shù)，將是本屆ISSCC熱點方向。 始
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封
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全球最小的RF前端解決方案（SiGe）
SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布針對Wi-Fi® 應用推出全球最小的 RF 前端解決方案。該器件基于一種創(chuàng)新性架構(gòu)，首次在單芯片上集成兩個完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構(gòu)對外形尺
