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半導體C-V測量入門(2)

基本測試配置圖3給出了一種基本的C-V測量配置框圖。由于C-V測量實際上是在交流頻率下進行的，因此待測器件（DUT）的電容可以根據下列公式計算得到： CDUT = IDUT / 2πfVac，其中 IDUT是通過D

測試測量
2018-10-31

c-v 半導體測量入門
C-V測量技術、技巧與陷阱——基于數字源表的準靜態(tài)電容測

在準靜態(tài)電容測量[1]中，我們通過測量電流和電荷來計算電容值。這種“斜率”方法使用簡單，但是它的頻率范圍有限（1～10Hz），因而只能用于一些特殊情況下。 SMU1-力常數SMU2-測量

測試測量
2018-10-25

測量技術數字源表靜態(tài)電容 c-v
C-V測量技術、技巧與陷阱—— C-V測量參數提取的局限性

在探討C-V測試系統的配置方法之前，了解半導體C-V測量技術[1]的局限性是很重要的： ·電容：從

測試測量
2018-10-18

測量技術參數提取 c-v
Keithley技術文獻：半導體C-V測量基礎

通用測試電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型

功率器件
2018-10-16

MOSFET 電源技術解析 moscap 測量基礎 c-v 半導體
C-V測量技術、技巧與陷阱—— C-V測量方法與應用的匹配

交流阻抗技術是最常用的電容測量技術[1]。它最適合于一般的低功率門電路，也適用于大多數測試結構和大多數探針。其優(yōu)勢在于所需的設備相對便宜，大多數電子實驗室都可以直接找到。但是，它也有一些缺點

測試測量
2018-09-28

測量技術匹配 c-v
半導體C-V測量入門(1)

普通測試電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導體器件，尤其是MOSCAP和MOSFET結構的參數。但是，通過C-V測量還能夠對很多其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管（BJT）、JFET、

測試測量
2018-09-24

c-v 半導體測量入門
C-V測量技術、技巧與陷阱——C-V測量技術連接與校正 I

盡管很多C-V測量技術本身相對簡單，但是以一種能夠確保測量質量的方式實現C-V測試儀與探針臺的連接卻不是那么簡單。目前探針臺使用的機械手和探針卡多種多樣，當我們試圖在一個探針臺上同時支持I-V、C-

測試測量
2018-07-18

測量技術校正 c-v

c-v

半導體C-V測量入門(2)

C-V測量技術、技巧與陷阱——基于數字源表的準靜態(tài)電容測

C-V測量技術、技巧與陷阱—— C-V測量參數提取的局限性

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C-V測量技術、技巧與陷阱—— C-V測量方法與應用的匹配

半導體C-V測量入門(1)

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