交流阻抗技術是最常用的電容測量技術[1]。它最適合于一般的低功率門電路，也適用于大多數測試結構和大多數探針。其優(yōu)勢在于所需的設備相對便宜，大多數電子實驗室都可以直接找到。但是，它也有一些缺點，例如它的校正方法不如射頻測量中使用的校正方法那樣精確。另外一個明顯的缺點是要求交流阻抗的測試頻率必須接近DUT的工作頻率，否則必須內插一些測量結果。

盡管準靜態(tài)C-V是最所有測量方法中最廉價的，其中只需要使用一對SMU，但是它適用的技術范圍是有限的，例如低漏流[2]高k材料、有機器件或顯示器領域。不幸的是，在準靜態(tài)C-V測量中，測量誤差[3]很容易破壞測量結果，尤其對于具有少量漏流器件的特征分析是不準確的。

射頻C-V測量是超薄柵、漏電電介質特征分析的最佳選擇。它還適用于射頻器件的建模。射頻探針[4]的矯正方法很容易理解和實現。射頻方法的不足之處在于它需要非常昂貴的設備、測試結構和射頻探針；此外，它只適用于特征阻抗為50歐姆左右的傳輸線。如果器件阻抗并不是十分接近50歐姆，這種方法就不準確了。對于某些應用和用戶而言，射頻測量的配置和分析過程可能太復雜了；在這些情況下，經典的交流阻抗測量方法可能更適合。