交流阻抗技術(shù)是最常用的電容測(cè)量技術(shù)[1]。它最適合于一般的低功率門電路，也適用于大多數(shù)測(cè)試結(jié)構(gòu)和大多數(shù)探針。其優(yōu)勢(shì)在于所需的設(shè)備相對(duì)便宜，大多數(shù)電子實(shí)驗(yàn)室都可以直接找到。但是，它也有一些缺點(diǎn)，例如它的校正方法不如射頻測(cè)量中使用的校正方法那樣精確。另外一個(gè)明顯的缺點(diǎn)是要求交流阻抗的測(cè)試頻率必須接近DUT的工作頻率，否則必須內(nèi)插一些測(cè)量結(jié)果。

盡管準(zhǔn)靜態(tài)C-V是最所有測(cè)量方法中最廉價(jià)的，其中只需要使用一對(duì)SMU，但是它適用的技術(shù)范圍是有限的，例如低漏流[2]高k材料、有機(jī)器件或顯示器領(lǐng)域。不幸的是，在準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量中，測(cè)量誤差[3]很容易破壞測(cè)量結(jié)果，尤其對(duì)于具有少量漏流器件的特征分析是不準(zhǔn)確的。

射頻C-V測(cè)量是超薄柵、漏電電介質(zhì)特征分析的最佳選擇。它還適用于射頻器件的建模。射頻探針[4]的矯正方法很容易理解和實(shí)現(xiàn)。射頻方法的不足之處在于它需要非常昂貴的設(shè)備、測(cè)試結(jié)構(gòu)和射頻探針；此外，它只適用于特征阻抗為50歐姆左右的傳輸線。如果器件阻抗并不是十分接近50歐姆，這種方法就不準(zhǔn)確了。對(duì)于某些應(yīng)用和用戶而言，射頻測(cè)量的配置和分析過程可能太復(fù)雜了；在這些情況下，經(jīng)典的交流阻抗測(cè)量方法可能更適合。