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格芯量產eMRAM，基于22nm FD-SOI平臺
格芯的eMRAM產品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現(xiàn)有物聯(lián)網和微控制器單元架構，以實現(xiàn)28nm以下技術節(jié)點的功率和密度優(yōu)勢。
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22nm FD-SOI工藝eMRAM年內量產，采用相關芯片的終端明年面世
格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
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格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產的eMRAM
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。
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105°C高溫下可擦寫1億次 傳三星1Gb eMRAM內存良率已達90%
今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網、AI人工智能領域。MRAM是一種非易失性存儲，
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英特爾已準備好大批量生產eMRAM，基于FinFET工藝
不管是DRAM內存還是NAND閃存，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內存價格趨勢報告。根據他們的報告Q1季度內存市場均價跌幅將達20%，Q2
