不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，最近都在跌價(jià)，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內(nèi)存價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告。

根據(jù)他們的報(bào)告Q1季度內(nèi)存市場(chǎng)均價(jià)跌幅將達(dá)20%，Q2季度會(huì)再跌15%。而NAND閃存方面大家的感受更明顯，2018年市場(chǎng)均價(jià)跌幅已達(dá)50%，并且DRAMeXchange認(rèn)為若仍無足夠需求動(dòng)能支撐，2019年NAND閃存仍可能再跌50%。對(duì)于消費(fèi)者來說，好消息還不止這些。

根據(jù)techpowerup的報(bào)道，EETimes上不久前發(fā)布了一份報(bào)告，該報(bào)告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已經(jīng)準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)。

MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制的0和1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，這意味著即使斷電情況下，它仍然會(huì)保留住信息，同時(shí)它還有不輸于DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于DRAM。

由于不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，制程微縮已遭遇瓶頸，相對(duì)地，MRAM未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，MRAM因此備受期待，認(rèn)為可以取代DRAM內(nèi)存和NAND閃存。

周二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)10 年的記憶期，并可在超過100萬個(gè)開關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)持久性。MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用于移動(dòng)設(shè)備上。

并且嵌入式 MRAM 被認(rèn)為特別適用于例如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備之類的應(yīng)用，也趕搭上 5G 世代的列車。