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關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

應(yīng)用材料推出Endura制造系統(tǒng) 存儲芯片革命就靠它了

說到存儲芯片，目前主要是指DRAM內(nèi)存、NAND閃存及少部分NOR閃存，內(nèi)存速度極快但成本貴，而且斷電不能保存數(shù)據(jù)，NAND、NOR閃存可以保存數(shù)據(jù)，成本也廉價，不過性能、延遲是沒法跟內(nèi)存相比的。在

充電吧
2019-07-29

內(nèi)存應(yīng)用材料閃存 mra pcram

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