說到存儲芯片，目前主要是指DRAM內(nèi)存、NAND閃存及少部分NOR閃存，內(nèi)存速度極快但成本貴，而且斷電不能保存數(shù)據(jù)，NAND、NOR閃存可以保存數(shù)據(jù)，成本也廉價，不過性能、延遲是沒法跟內(nèi)存相比的。

在這些存儲芯片之外，業(yè)界還在開發(fā)各種新一代芯片，比如MRAM磁阻內(nèi)存、ReRAM電阻式內(nèi)存、PCRAM相變內(nèi)存（Intel的傲騰內(nèi)存就是相變存儲原理），這些芯片的特點就是同時融合了閃存及內(nèi)存的優(yōu)點，速度快、延遲低、可靠性高，同時斷電也能保存數(shù)據(jù)，但是這三類芯片也有同樣的不足，那就是容量比較小，制造困難。

想解決新一代存儲芯片的生產(chǎn)難題，那就需要新的半導(dǎo)體設(shè)備，在這方面美國應(yīng)用材料公司又一次走在世界前列了，日前該公司宣布推出Endura生產(chǎn)平臺，其中包括制造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用于制造MRAM的Endura Clover PVD兩種物理氣相沉積設(shè)備，這是該公司有史以來研發(fā)的最精密的芯片制造系統(tǒng)。

以Endura Clover PVD為例，應(yīng)用材料公司表示它由9個晶圓處理反應(yīng)室組成，全都是在真空、純凈狀態(tài)下整合的，這也是業(yè)界第一個大規(guī)模量產(chǎn)用的300mm MRAM系統(tǒng)，其中每個反應(yīng)室可以沉積5種不同的材料，而制造MRAM芯片至少需要30種不同的材料沉積操作，部分材料沉積層比人類的頭發(fā)還要細小50萬倍，達到了亞原子級別的精度，制造過程極其復(fù)雜也極其精密。

制造ReRAM及PCRAM的Endura Impulse PVD設(shè)備也是如此，同樣是超級復(fù)雜、精密的半導(dǎo)體設(shè)備。