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全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器可最大程度提高效率及安全性
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能，能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開關(guān)頻率。不過(guò)，SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù)，這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
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