9月19日，在2019中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上，中芯國(guó)際市場(chǎng)及海外銷售副總裁Kelvin Low表示，中芯國(guó)際的14nm FinFET工藝良率正不斷爬坡，產(chǎn)能也正成指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

Kelvin Low表示，在每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，中芯國(guó)際都在針對(duì)不同的應(yīng)用需求來推出不同IP產(chǎn)品，例如MCU、基站等橫向應(yīng)用領(lǐng)域。雖然MCU現(xiàn)在可能只會(huì)應(yīng)用到55nm和40nm工藝，但Kelvin透露，目前也有客戶在考慮采用FinFET技術(shù)，所以未來FinFET技術(shù)擁將有很大的市場(chǎng)。

目前，中芯國(guó)際的14nm已經(jīng)進(jìn)入了客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段，12nm也已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段。那么12nm相較于14nm有何提升呢？

Kelvin表示，中芯國(guó)際致力于幫助客戶打造低功耗、高性能的產(chǎn)品，而功耗的表現(xiàn)需要從多個(gè)維度去比較。具體來看，中芯國(guó)際的12nm相較于14nm能將芯片尺寸縮小10%，動(dòng)態(tài)功耗降低10%，靜態(tài)功耗降低36%。

雖然射頻和車用電子目前還沒有用到先進(jìn)工藝，但Kelvin認(rèn)為，除了MCU，這兩個(gè)領(lǐng)域很快也會(huì)使用到14nm和12nm，中芯國(guó)際從工藝到封裝都已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。