內存(Memory)是計算機的重要部件之一，也稱內存儲器和主存儲器，它用于暫時存放CPU中的運算數據，與硬盤等外部存儲器交換的數據。它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內存中進行，內存性能的強弱影響計算機整體發(fā)揮的水平。只要計算機開始運行，操作系統(tǒng)就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成，CPU將結果傳送出來。

在計算機的組成結構中有一個很重要的部分是存儲器。它是用來存儲程序和數據的部件。對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多。按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存，港臺稱之為記憶體)。 [2] 內存又稱主存。它是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導體器件制成。特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如：Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等。一般安裝在硬盤等外存上，但僅此是不能使用其功能，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能。我們平時輸入一段文字或玩一個游戲，其實是在內存中進行。好比在一個書房，存放書籍的書架和書柜相當于電腦的外存，我們工作的辦公桌相當于內存。通常，我們把要永久保存、大量數據存儲在外存上，把一些臨時或少量的數據和程序放在內存上。當然，內存的好壞會直接影響電腦的運行速度。 [2] 內存是暫時存儲程序以及數據的地方。當我們使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它被存入內存中。當你選擇存盤時，內存中的數據才會被存入硬(磁)盤。計算機誕生初期并不存在內存條的概念。最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特(BIT)的存儲器。每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出現了焊接在主板上的集成內存芯片，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit。雖然如此，但對于那時的運算任務來說卻綽綽有余了。 [3]

內存條內存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期。鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對計算機的發(fā)展造成了現實的阻礙。有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，電腦主板上也改用內存插槽。這樣，把內存難以安裝和更換的問題徹底解決了。 [3] 在80286主板發(fā)布之前，內存沒有被世人重視。這個時候的內存直接固化在主板上，容量只有64 ～256KB。對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求。為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”的概念。 [3] 80286主板剛推出時，內存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組)接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank。正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM內存是內存領域的開山鼻祖。 [3] 隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代。此時，CPU 已經向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了。72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用。由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。 [3] EDO DRAM(Extended Date Out RAM 外擴充數據模式存儲器)內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條。EDO DRAM同FPM DRAM(Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器)極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面。故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。 [3] 1991 年至1995 年期間，內存技術發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前。我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇。不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展。此時單條EDO內存的容量已經達到4 ～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。 [3]

SDRAM自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了。內存技術必須徹底得到革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。 [3] 第一代SDRAM內存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz。所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著，133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據總線寬度，因此，它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，速度明顯超越EDO 內存。 [3] SDRAM內存由早期的66MHz，發(fā)展至后來的100MHz、133MHz。盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時的CPU超頻已成為DIY用戶永恒的話題。不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功。為了方便一些超頻用戶的需求，市場上出現了一些PC150、PC166規(guī)范的內存。 [3] SDRAM PC133內存的帶寬可提高到1064MB/S，加上Intel已開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內存(稱為RDRAM內存)。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。 [3] 在AMD與Intel的競爭中，這屬于頻率競備時代。這時CPU的主頻不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器。Rambus DRAM內存被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏。Rambus DRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，內存帶寬在當時相當出色。如：PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。 [3] Rambus RDRAM內存生不逢時，依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位。當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴。發(fā)生的種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。