化學(xué)氣相沉積裝置最主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別，我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型：1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊，將反應(yīng)器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體，然后再次密封， 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點(diǎn)是：①能有效夠避免外部污染;②無須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。它的缺點(diǎn)是：①材料產(chǎn)生速度慢;②管中的壓力不容易掌握。

2 開管法這種制備方法的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時(shí)補(bǔ)充。廢氣也可以及時(shí)排出反應(yīng)裝置。以加熱方法為區(qū)分，開管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會(huì)讓整個(gè)沉積室壁都會(huì)因此變熱，所以管壁上同樣會(huì)發(fā)生沉積。 后者只有機(jī)體自身會(huì)被加熱，也就沒有上述缺點(diǎn)。 冷壁式加熱一般會(huì)使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。

1化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學(xué)氣相沉積法最常見的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層，最開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見(比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等)以及個(gè)別的化合物單晶薄膜(例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等)。

2生產(chǎn)晶須晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時(shí)使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)?；瘜W(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時(shí)也能生產(chǎn)出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

3化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代，微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲記憶材料，例如氧化銅-五氧化二磷、氧化銅-五氧化二釩-五氧化二磷以及五氧化二釩-五氧化二磷等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。

1化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種貴金屬薄膜貴金屬薄膜因其有著較好的抗氧化能力、高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成貴金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢，所以大多數(shù)制備貴金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。

沉積貴金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過大多是貴金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。Goto 團(tuán)隊(duì)在貴金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯(YSZ)等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的貴金屬薄膜，如若不然則最后得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級被晶碳層所包裹的銥顆粒。

沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著優(yōu)秀的電性能和催化活性。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。貴金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來將很有潛力。2化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)貴金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代開始，NASA 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)貴金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，最高可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，C15H21IrO6的制取效率高達(dá) 70%以上。3鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強(qiáng)的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機(jī)化合物當(dāng)做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基[β-酮亞胺]Pd(Ⅱ)、Pd(η-C3H5) (η-C5H5)以及 Pd(η-C3H5)(CF3COCHCOCF3)之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是一種重要的材料制備方式，在對貴金屬薄膜和涂層上有著重要的作用，當(dāng)前我國在航空航天領(lǐng)域仍處于發(fā)展期，而化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用還有很大的探索空間，需要我們投入更多的精力進(jìn)行研究。