在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MPS MP6973智能整流器的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果智能整流器是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

整流器是一個(gè)整流裝置，簡(jiǎn)單的說就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。它有兩個(gè)主要功能：第一，將交流電(AC)變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負(fù)載，或者供給逆變器;第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時(shí)又起到一個(gè)充電器的作用。下面，我們來(lái)看看MPS的MP6973智能整流器。

MP6973 是一款用于反激變換器的快速關(guān)斷智能整流器，其內(nèi)部集成了 100V/14mΩ MOSFET。它可以取代二極管整流器，實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度。MP9989 可將內(nèi)部開關(guān)管的正向電壓壓降調(diào)節(jié)至 VFWD(40mV)，并在漏源電壓反向之前，將開關(guān)管關(guān)斷。

MP6973 針對(duì)低端整流進(jìn)行了優(yōu)化。內(nèi)部振鈴檢測(cè)電路可以防止 MP6973 在斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)式或準(zhǔn)諧振工作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。

MP6973 采用 SOIC-8 封裝。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

? 在單個(gè)封裝中集成 MOSFET 和 SR 控制器

? 針對(duì)低端整流優(yōu)化效率

? 內(nèi)部振鈴檢測(cè)電路可防止 DCM 工作期間誤導(dǎo)通

MP6973智能整流器支持在非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 和連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 以及準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式轉(zhuǎn)換器下運(yùn)行?？刂齐娐吩谡蚰Ｊ较驴刂茤艠O，并在同步整流 (SR) MOSFET 電流降至零時(shí)關(guān)閉柵極。

在VDD 生成方面，VDD 的外部電容為 IC 供電。 首先，SENSE 通過具有 IVDD_SEN 的電流源為電容器充電。 當(dāng) UVLO < VDD < VDD_SENSE (5V) 時(shí)，HVC 和 SENSE 都可以給 VDD 充電。 但是，當(dāng) VDD 超過 VDD_SENSE 時(shí)，HVC 通過帶有 IVDD_HVC 的電流源單獨(dú)為 VDD 充電。如果 VHVC < 5.7V，則 VDD 被調(diào)節(jié)為 VDD_SENSE (5V)。 當(dāng) 5.7V < VHVC < 6.7V 時(shí)，VDD 被調(diào)節(jié)在 VHVC - 0.7V(內(nèi)部電流相關(guān)的正向二極管壓降)。 當(dāng) VHVC > 6.7V 時(shí)，VDD 被鉗位在 VDD_HVC (6.7V)。

在啟動(dòng)和欠壓鎖定 (UVLO)方面，當(dāng) VDD 超過 VDD UVLO 上升閾值 (4.2V) 時(shí)，MP6973 智能整流器退出欠壓鎖定 (UVLO) 并啟用。 一旦 VDD 降至~4.0V 以下，MP6973 智能整流器進(jìn)入睡眠模式并且 VGS 保持低電平。

在開啟階段，當(dāng) VDS 降至~2V 時(shí)，開啟定時(shí)器開始計(jì)時(shí)。如果 VDS 在開啟壓擺率檢測(cè)時(shí)間 (30ns) 內(nèi)從 2V 達(dá)到開啟閾值 (-80mV)，則 MOSFET 在開啟延遲后開啟 ( tD_ON)，通常為 20ns。 如果定時(shí)器結(jié)束后 VDS 超過開啟閾值，則柵極電壓保持關(guān)閉。該開啟定時(shí)器可防止 MP6973 智能整流器由于 DCM 中的振鈴和準(zhǔn)諧振操作而錯(cuò)誤開啟。

在開啟消隱方面，控制電路包含消隱功能。 當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，控制電路確保導(dǎo)通狀態(tài)持續(xù)一段特定的時(shí)間。開啟消隱時(shí)間 (tB-ON) 約為 1.2μs，以防止因振鈴而意外關(guān)閉。但是，如果 VDS 在導(dǎo)通消隱時(shí)間內(nèi)達(dá)到 1.8V，則 VGS 會(huì)立即被拉低。

在傳導(dǎo)階段，一旦 VDS 超過正向壓降 -VFWD (-40mV)，MP6973 智能整流器根據(jù)開關(guān)電流的下降，降低柵極電壓電平，以增大同步 MOSFET 的導(dǎo)通電阻。 使用這種控制方案，即使流過 MOSFET 的電流相當(dāng)?shù)?，VDS 也被調(diào)整為大約等于 VFWD。 該功能在同步 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將驅(qū)動(dòng)器電壓保持在非常低的水平，從而提高關(guān)斷速度，對(duì)于 CCM 操作尤其重要。

在關(guān)斷階段，當(dāng) VDS 上升以觸發(fā)關(guān)斷閾值 (-3mV) 時(shí)，柵極電壓會(huì)在短暫的關(guān)斷延遲 (tD_OFF) 后拉至零，通常為 25ns。

在關(guān)閉消隱方面，在柵極驅(qū)動(dòng)器 (VGS) 被 VDS 拉至關(guān)零閾值 (-3mV) 后，應(yīng)用關(guān)斷消隱時(shí)間，在此期間，柵極驅(qū)動(dòng)器信號(hào)被鎖存。當(dāng) VDS 超過 VB-OFF (2V) 時(shí)，關(guān)閉消隱被移除。

在壓擺率檢測(cè)方面，在 DCM 操作期間，消磁振鈴可能會(huì)使 VDS 低于 0V。 如果 VDS 在振鈴期間達(dá)到開啟閾值，則沒有壓擺率檢測(cè)的 SR 控制器可能會(huì)錯(cuò)誤地開啟 MOSFET。 這不僅會(huì)增加功率損耗，而且如果初級(jí)側(cè) MOSFET 在 SR 控制器的最短導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，還可能導(dǎo)致?lián)舸?。振鈴的下降壓擺率始終遠(yuǎn)小于初級(jí) MOSFET 已關(guān)閉; 壓擺率檢測(cè)功能可以防止這種錯(cuò)誤的開啟情況。 當(dāng)壓擺率小于閾值時(shí)，即使 VDS 達(dá)到開啟閾值，IC 也不會(huì)開啟柵極。

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