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[導(dǎo)讀]快如閃電第三代移動(dòng)通信正在崛起,3G與第一代以及第二代移動(dòng)通信技術(shù)最大的不同,在于3G需要面向Internet和數(shù)據(jù)通信。因此,對(duì)新一代的手機(jī)IC芯片提出了更好的要求,要求手機(jī)IC芯片具有更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)處理能力,必需擁有更廣闊的存儲(chǔ)空間,用來(lái)存儲(chǔ)從網(wǎng)上下載的各種數(shù)據(jù)信息。

快如閃電第三代移動(dòng)通信正在崛起,3G與第一代以及第二代移動(dòng)通信技術(shù)最大的不同,在于3G需要面向Internet和數(shù)據(jù)通信。因此,對(duì)新一代的手機(jī)IC芯片提出了更好的要求,要求手機(jī)IC芯片具有更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)處理能力,必需擁有更廣闊的存儲(chǔ)空間,用來(lái)存儲(chǔ)從網(wǎng)上下載的各種數(shù)據(jù)信息。

通信芯片的優(yōu)勢(shì)

此外,還要求新一代手機(jī)中被處理的信息不再僅僅是語(yǔ)音和指令,而是更復(fù)雜的多媒體信息,因此,要求新一代手機(jī)IC芯片必需擁有更高速的數(shù)據(jù)處理能力,要求其速度快如閃電。為了使新一代手機(jī)擁有更大的存儲(chǔ)能力和更快的數(shù)據(jù)處理能力,將會(huì)提高手機(jī)的功耗,而要達(dá)到大數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)、高速處理和功耗不增加這三種要求,新一代手機(jī)應(yīng)當(dāng)采用嵌入式flash(快閃)存儲(chǔ)技術(shù)、高性能的DSP和降低電池電壓等各種手段。

高速接口IC,用于通信網(wǎng)絡(luò)的中繼傳輸和幾個(gè)通信系統(tǒng)之間的高速傳輸,傳輸速度已經(jīng)按照ITU規(guī)定的SHD實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。除了與光纜接口的激光器驅(qū)動(dòng)電路和光接收電路等光電變換電路之外,其它的諸如幀同步、糾錯(cuò)以及傳輸總線的多路分離等,都需要利用已經(jīng)向著微細(xì)化發(fā)展的CMOS 技術(shù)的高集成度;將其制作在一枚小小的芯片上。以0.35μmCMOS技術(shù)制作的通信接口IC,能夠以2.4Gbps的速度進(jìn)行各種傳輸信息的處理。

藍(lán)色巨人IBM和北方電訊(Nortel) 公司的科學(xué)家們還聯(lián)合研制出了一款制造材料既非硅、也非鍺的新型芯片,這就是SiGe芯片,它是由硅(Si)和鍺(Ge)兩種材料的混合物制造而成的,稱(chēng)為SiGe混合物半導(dǎo)體芯片。 根據(jù)這兩家公司的合作協(xié)議,Nortel公司負(fù)責(zé)為幾種高速通信應(yīng)用程序?qū)iT(mén)設(shè)計(jì)這種新型SiGe芯片,而IBM公司則負(fù)責(zé)專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)這種芯片。 這種SiGe芯片是其他一些非硅半導(dǎo)體芯片諸如砷化鎵芯片的有益的補(bǔ)充,SiGe芯片能夠有力地支持研發(fā)更復(fù)雜、高速的通信新產(chǎn)品。與砷化鎵芯片比較,SiGe芯片有著其明顯的優(yōu)勢(shì),SiGe芯片的集成度更高,體積更小,功耗也更少。此外,SiGe芯片還有一個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn),它可以用現(xiàn)有的硅芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工,而不必另外添置其它的加工設(shè)備,從而能夠有效地降低生產(chǎn)成本,與其他的非硅芯片更具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。美國(guó)密執(zhí)安大學(xué)工程學(xué)院在最近研制成功一種新型光學(xué)芯片,這種芯片可以大大增加數(shù)據(jù)高速公路的信息容量,使上網(wǎng)用戶(hù)獲益匪淺。這種芯片是高速光電子信號(hào)檢測(cè)的世界紀(jì)錄保持者,它可以接收速度高達(dá)24Mbps的以激光脈沖傳輸?shù)臄?shù)據(jù),而絕大多數(shù)同類(lèi)產(chǎn)品能夠處理的數(shù)據(jù)傳輸速度,僅為11兆位/秒。這所工程學(xué)院新推出的光學(xué)芯片,在同一種半導(dǎo)體疊層中集成了光檢測(cè)儀和放大裝置,不必采用會(huì)增加混合光感接收器制造成本的連接電線。這種芯片的電路包括一個(gè)可檢測(cè)輸入光束的P 型光電二極管和一個(gè)放大高速信號(hào)的異結(jié)雙極晶體管。這種芯片是在密執(zhí)安大學(xué)固態(tài)電子實(shí)驗(yàn)室采用一種半導(dǎo)體工業(yè)最常用的單步分子束外延生長(zhǎng)工藝研制成功的。雖然這種光學(xué)芯片的成本還比較高,但是,一旦這種制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)化,那么,光學(xué)芯片的成本和價(jià)格就會(huì)大大降低,屆時(shí),光學(xué)芯片就會(huì)在電子業(yè)界和通信業(yè)界得到廣泛的應(yīng)用。功能多樣歐洲最大的半導(dǎo)體制造廠商Philips半導(dǎo)體公司推出新型的GSM GPRS芯片組,以便實(shí)現(xiàn)基于GSM移動(dòng)電話系統(tǒng)的高速數(shù)據(jù)傳輸,為移動(dòng)通信Internet和個(gè)人多媒體服務(wù)熱潮推波助瀾。這種芯片組基于Philips并購(gòu)的 VLSI 技術(shù)公司的OneC基帶控制器,這是業(yè)界最高集成度的GSM解決方案,它將成為利用 GPRS進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男乱淮苿?dòng)電話的核心。這種綜合GPRS方案的射頻部分是由Philips開(kāi)發(fā)的新型雙帶RF芯片組構(gòu)成的。GPRS OneC 和Philips以及第三方的RF方案相容,成為一款面向3G的新產(chǎn)品。Philips的下一代將會(huì)集成更多的新功能,例如GPS、MP3以及Bluetooth等,并且直接面向UMTX、WCDMA以及CDMA-2000等3G移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。

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LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源

在工業(yè)自動(dòng)化蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,工業(yè)電機(jī)作為核心動(dòng)力設(shè)備,其驅(qū)動(dòng)電源的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。其中,反電動(dòng)勢(shì)抑制與過(guò)流保護(hù)是驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的兩個(gè)環(huán)節(jié),集成化方案的設(shè)計(jì)成為提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能的關(guān)鍵。

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根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)電源的公式,電感內(nèi)電流波動(dòng)大小和電感值成反比,輸出紋波和輸出電容值成反比。所以加大電感值和輸出電容值可以減小紋波。

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電動(dòng)汽車(chē)(EV)作為新能源汽車(chē)的重要代表,正逐漸成為全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。電動(dòng)汽車(chē)的核心技術(shù)之一是電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng),而絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力性能和...

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LED通用照明設(shè)計(jì)工程師會(huì)遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。

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開(kāi)關(guān)電源具有效率高的特性,而且開(kāi)關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開(kāi)關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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