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這樣的IGBT就沒(méi)不喜歡的

時(shí)間：2021-12-07 11:30:42
關(guān)鍵字： IGBT   
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自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄，不放出那匹脫韁野馬，這樣就不會(huì)有人從我假意的冷淡里，拎出些滾燙的秘密。by 陳大力自以為用這顆小小的心臟包裹住了波瀾壯闊，給這片山川湖海圍上了柵欄，不放出那匹脫韁野馬，這樣就不會(huì)有人從我假意的冷淡里，拎出些滾燙的秘密。by 陳大力





提及IGBT應(yīng)該每一個(gè)電子工程師都不會(huì)陌生，IGBT是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。從功能上來(lái)說(shuō)，IGBT就是一個(gè)電路開(kāi)關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十至幾百伏量級(jí)、電流幾十至幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IGBT支持軟開(kāi)關(guān)，配合一種控制器就能夠很好的對(duì)電路進(jìn)行開(kāi)關(guān)。






東芝半導(dǎo)體在IGBT分立元器件上有著極大的提升，在保證高耐壓環(huán)境中正常工作之外，進(jìn)一步對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化改善，極大的降低了開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的功率損耗和電磁干擾，為市場(chǎng)在IGBT領(lǐng)域上帶來(lái)了利好革新。





形雖簡(jiǎn)但至強(qiáng)


接下來(lái)介紹的是GT30J110SRA，隸屬于東芝半導(dǎo)體IGBT分立元器件族群，屬于第6.5代更新分立元器件，繼承了前幾代優(yōu)良的品性并且在此基礎(chǔ)上有了極大的提升。例如它的Vce等級(jí)達(dá)到了1100V，適用于絕大多數(shù)家用電器的升壓電路；它的功耗進(jìn)一步的被降低，可以完美的節(jié)約能源成本；它的電磁輻射被有效的優(yōu)化調(diào)節(jié)，能夠很好的改善電磁干擾影響電路系統(tǒng)工作中正常運(yùn)作。





為了證明上述講得所言非虛，下面引用IGBT在電路中的測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)給大家做一個(gè)詮釋。





圖上半部分可以看到在進(jìn)行開(kāi)關(guān)切換的時(shí)候GT30J110SRA還是需要△T＝ton－tr的時(shí)間來(lái)對(duì)電平進(jìn)行高低切換的，因此做PWM精度控制的時(shí)候就需要將loss的時(shí)間考慮進(jìn)來(lái)，不然就會(huì)產(chǎn)生控制精度誤差。圖下半部分可以看出在對(duì)電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)的時(shí)候GT30J110SRA切換電平產(chǎn)生的功耗損失，跟Vce、Ic成正比，滿足對(duì)時(shí)間的積分關(guān)系，但是△T＝t2－t1足夠小所以產(chǎn)生的損耗也是微乎其微的。而且芯片結(jié)構(gòu)也被進(jìn)行了優(yōu)化提升，實(shí)現(xiàn)了較低的電磁輻射。并且在電磁輻射水平最強(qiáng)的30MHz左右時(shí)，輻射發(fā)射量?jī)H為35.8dBμV/m，達(dá)到了十分優(yōu)秀的水平！





好品質(zhì)助家電


目前GT30J110SR在家電產(chǎn)品中的電壓-諧振逆變器開(kāi)關(guān)、軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域都有不俗的應(yīng)用，諸如在電磁爐、微波爐產(chǎn)品中都能夠大放異彩。未來(lái)，它將為家電產(chǎn)品提供更多更好的功能服務(wù)。




東芝半導(dǎo)體在IGBT研發(fā)設(shè)計(jì)方面積累了多年的寶貴經(jīng)驗(yàn)，并持續(xù)致力于創(chuàng)新和提升芯片的功能屬性和穩(wěn)定特性，能夠幫助用戶在參考設(shè)計(jì)和應(yīng)用部署上解決難題和困惑。





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