近日，一批半導體項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及第三代半導體氮化鎵、存儲封測、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億，第三代半導體氮化鎵項目落地福州

近期，4個重大產(chǎn)業(yè)項目落地福州長樂區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導體氮化鎵項目。

據(jù)福州新聞網(wǎng)報道，第三代半導體氮化鎵項目計劃總投資約60億元，分兩期建設(shè)，將充分利用福州區(qū)域優(yōu)勢，整合第三代半導體的材料、外延、封測、器件、設(shè)備等行業(yè)上下游，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)集聚，推動產(chǎn)業(yè)升級。

該項目將購置20臺至30臺MOCVD設(shè)備，建設(shè)全球領(lǐng)先的8寸氮化鎵工廠，結(jié)合上下游的襯底、封測、設(shè)備等，成為國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件生產(chǎn)商。

中欣晶圓40億外延項目開工

11月17日，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目建設(shè)工程在浙江麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行開工儀式。

據(jù)介紹，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司由杭州中欣晶圓半導體股份有限公司與浙江麗水國資相關(guān)投資公司聯(lián)合設(shè)立。項目總投資40億元，首期所需投資額30億元將建設(shè)年產(chǎn)120萬片8英寸、年產(chǎn)240萬片12英寸硅外延片。項目預計將于2022年11月竣工，2023年可實現(xiàn)投產(chǎn)運營。

在全球缺芯的大背景下，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目的建設(shè)將打破國外對我國半導體大硅片市場長期壟斷的局面，助力浙江成為集成電路核心材料新高地，對國內(nèi)半導體行業(yè)的發(fā)展具有重要意義！

閃速半導體封測、研發(fā)項目簽約

11月17日，湘潭綜保區(qū)閃速半導體封測、研發(fā)項目簽約儀式舉行。

閃速半導體封測、研發(fā)項目由深圳市閃速半導體有限公司（以下簡稱“閃速半導體”）投資建設(shè)，項目總投資3億元，投產(chǎn)5年后將累計實現(xiàn)進出口額5億美元以上、產(chǎn)值30億元人民幣以上，同時正在積極籌備上市。

資料顯示，閃速半導體成立于2019年，主要從事Flash及DRAM存儲器的研發(fā)、設(shè)計和銷售，目前主要采用OEM/ODM的經(jīng)營模式。該公司產(chǎn)品分為BGA（球柵陣列結(jié)構(gòu)PCB）、固態(tài)硬盤（SSD）、閃存卡、EMMC、閃存盤五大系列，被廣泛應(yīng)用于智能手機、智能電視、平板電腦、計算機、通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)以及個人移動存儲等領(lǐng)域。

目前，閃速半導體的產(chǎn)品有60%出口到歐洲、印度及其他東南亞國家，其余40%銷售至國內(nèi)電子設(shè)備制造領(lǐng)域的客戶，如聯(lián)想、朗科等。

來源：全球半導體觀察

☆ END ☆