化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。包括晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導(dǎo)體)及其固溶體、非晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物(如玻璃半導(dǎo)體)、有機(jī)化合物(如有機(jī)半導(dǎo)體)和氧化物半導(dǎo)體等。通常所說(shuō)的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體。

研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問(wèn)題的化學(xué)分支學(xué)科。通常所說(shuō)的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。包括晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半導(dǎo)體)及其固溶體、非晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物(如玻璃半導(dǎo)體)、有機(jī)化合物(如有機(jī)半導(dǎo)體)和氧化物半導(dǎo)體等。通常所說(shuō)的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體。主要是二元化合物如：砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等，其次是二元和多元化合物，如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長(zhǎng)單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導(dǎo)體單晶，用外延法、化學(xué)氣相沉積法等制備它們的薄膜和超薄層微結(jié)構(gòu)化合物材料。用于制備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

半導(dǎo)體材料的種類繁多，從單質(zhì)到化合物，從無(wú)機(jī)物到有機(jī)物，從單晶體到非晶體，都可以作為半導(dǎo)體材料。根據(jù)材料的化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)，可以將半導(dǎo)體劃分為：元素半導(dǎo)體，如硅(Si)、鍺(Ge);二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP;固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導(dǎo)體(又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體)，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體;有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

半導(dǎo)體化學(xué)是在1948年發(fā)明晶體管之后逐漸形成的，是一門交叉學(xué)科，涉及到無(wú)機(jī)化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、分析化學(xué)、物理化學(xué)、高分子化學(xué)、晶體化學(xué)、配位化學(xué)和放射化學(xué)等許多領(lǐng)域的理論和內(nèi)容。半導(dǎo)體化學(xué)的研究對(duì)象主要是高純物質(zhì)，在半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著半導(dǎo)體朝高頻、大功率、高集成化方向發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體材料以及在制作半導(dǎo)體器件、集成電路過(guò)程中所用的各種試劑的純度，提出了越來(lái)越高的要求，有害雜質(zhì)含量不超過(guò)10-6%～10-8%，有的甚至要求雜質(zhì)含量10-9%～10-10%。

半導(dǎo)體化學(xué)的內(nèi)容可以概括為：①硅、鍺、砷化鎵等半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性質(zhì)及其提純精制的化學(xué)原理，完整單晶體的制取、完整單晶層的生長(zhǎng)以及微量雜質(zhì)有控制地?fù)饺敕椒ā＂诎雽?dǎo)體器件和集成電路制造技術(shù)如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蝕、擴(kuò)散等主要工藝過(guò)程及化學(xué)反應(yīng)原理。③半導(dǎo)體器件及集成電路制造工藝中所用摻雜材料、化學(xué)試劑、高純氣體、高純水的化學(xué)性質(zhì)、制備原理及純度標(biāo)準(zhǔn)。④超純物質(zhì)分析及結(jié)構(gòu)鑒定方法，如質(zhì)譜分析、放射化分析、紅外光譜分析等。