關(guān)于高通新一代旗艦處理器的命名問(wèn)題，之前外界一直眾說(shuō)紛紜，在半月前大家都認(rèn)為新一代處理器會(huì)延續(xù)驍龍888的命名叫驍龍898，不過(guò)就在近段時(shí)間不少爆料人都表示不會(huì)叫驍龍898，并且高通已經(jīng)正式確定未來(lái)驍龍將成為一個(gè)獨(dú)立品牌，屆時(shí)驍龍不會(huì)再和高通品牌并行出現(xiàn)，同時(shí)高通還表示，新驍龍會(huì)采用簡(jiǎn)化、一致的全新命名體系。不過(guò)就在今天，又有爆料放出了疑似高通官網(wǎng)的截圖，其中展示的新品圖標(biāo)上赫然顯示，該芯片將被命名為“驍龍8Gx Gen 1”。

也就是說(shuō)，最終的命名應(yīng)該還是此前被傳出的“驍龍8 Gen 1”，這個(gè)名稱(chēng)可能只是海外版本。不過(guò)不知道官方未來(lái)將會(huì)如何為這一代芯片定義中文名稱(chēng)，畢竟Snapdragon 8 Gen 1直譯過(guò)來(lái)驍龍8第一代不僅不好聽(tīng)，也不如之前的純數(shù)字朗朗上口易記。

目前驍龍888系列旗艦機(jī)的跑分多在80萬(wàn)分出頭，這意味著驍龍8 Gen1的性能綜合提升了至少20%以上。 除了100萬(wàn)以上的跑分，首批搭載驍龍8 Gen1的神秘手機(jī)也引人關(guān)注，很可能就是realme全新的高端旗艦真我GT2 Pro，這是真我GT2 Fold折疊屏旗艦之外另一款新機(jī)，硬件配置也非常強(qiáng)大。

高通新一代高端芯片驍龍8 Gen 1芯片受到了國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌的熱捧，小米、聯(lián)想都宣稱(chēng)自己才是首發(fā)驍龍8G1的手機(jī)企業(yè)，不過(guò)在手機(jī)企業(yè)熱捧的時(shí)候，消費(fèi)者卻要當(dāng)心這款芯片再現(xiàn)驍龍888的發(fā)熱前例。

小白測(cè)評(píng)拿到了首發(fā)驍龍8G1的 moto edge X30 ，對(duì)此進(jìn)行了測(cè)試比對(duì)，結(jié)果顯然讓人失望，驍龍8G1依然是發(fā)熱界的扛把子。

小白測(cè)評(píng)對(duì)比了驍龍870、驍龍888+、蘋(píng)果A15和驍龍8G1，在使用10分鐘后測(cè)試的溫度顯示，驍龍8G1手機(jī)的正面溫度和背面溫度都達(dá)到了60度，背面溫度比驍龍888+的62度低、正面溫度則比驍龍888+的54度高，顯示出驍龍8G1依然是手機(jī)芯片界的扛把子。

對(duì)比之下，高通芯片近近三代產(chǎn)品中，驍龍865系列依然是功耗表現(xiàn)最好的產(chǎn)品，驍龍865采用7nm工藝，而驍龍888采用了5nm工藝，驍龍8G1則采用了4nm工藝，更先進(jìn)工藝卻沒(méi)能帶來(lái)更好的功耗表現(xiàn)自然讓人頗為失望。

昨天，moto edge X30正式發(fā)布，這款手機(jī)最大的亮點(diǎn)莫過(guò)于首發(fā)了驍龍8G1處理器。今年一整年，安卓的各家旗艦機(jī)都活在驍龍888的陰影之下，用戶(hù)也盼望上游的芯片廠(chǎng)商能夠拿出一款功耗發(fā)熱優(yōu)秀的旗艦芯。所以驍龍8G1自然而然地也就成為了大家關(guān)注的焦點(diǎn)。在昨天moto edge X30發(fā)布之后，幾位頭部的數(shù)碼大V都已經(jīng)放出了驍龍8G1的測(cè)評(píng)視頻，看了一圈下來(lái)，大致有以下的總結(jié)：

CPU部分幾乎原地踏步

GPU部分牙膏擠的有點(diǎn)多

功耗&發(fā)熱依舊不容樂(lè)觀

當(dāng)然，不排除這是moto調(diào)教不到位的情況，這一結(jié)論是否適用于所有的驍龍8G1還得看后續(xù)搭載這款處理器的其它機(jī)型的表現(xiàn)。但如果這反映的是普遍情況，那驍龍865/驍龍870/麒麟9000機(jī)型再戰(zhàn)一年絲毫不成問(wèn)題，明年也不用考慮換手機(jī)了今年的驍龍8G1要是再次成為“火龍”，可能三星、高通和ARM都逃不了被大家噴的尷尬局面。

前兩者自然不必多說(shuō)，最為最直接的當(dāng)事人，鍋是肯定要背的。而ARM的鍋就在于當(dāng)初ARMV9架構(gòu)發(fā)布之初餅畫(huà)太大，性能功耗的表現(xiàn)描述得過(guò)于美好。但是在更加先進(jìn)的架構(gòu)+采用更加先進(jìn)的制程工藝之后，相較于驍龍888竟然沒(méi)有明顯進(jìn)步，這怎么看ARM似乎也逃不了干系。

高通芯片的功耗過(guò)高可能存在兩點(diǎn)原因，一個(gè)是ARM的兩代超大核心X1、X2的功耗實(shí)在太高。ARM的第一代64位高性能核心A57就曾出現(xiàn)嚴(yán)重的功耗過(guò)高問(wèn)題，最終僅有高通的驍龍810采用了A57核心，而驍龍810也因功耗過(guò)高被手機(jī)企業(yè)紛紛放棄，這次ARM的第一代超大核心X1依然存在功耗過(guò)高的問(wèn)題，而第二代超大核心X2的功耗依然過(guò)高就讓人費(fèi)解了。

其次就是三星的工藝不過(guò)關(guān)，此前digitimes以晶體管密度為參數(shù)，分析了Intel、三星和臺(tái)積電的先進(jìn)工藝制程，認(rèn)為三星和臺(tái)積電的7nm工藝才與Intel的10nm工藝相當(dāng)，而在7nm工藝之后三家芯片制造企業(yè)又再次出現(xiàn)分差。