眾所周知，在芯片制造過程中，最重要的半導體設(shè)備就是光刻機。為什么說他最重要，一方面是因為它占所有制造設(shè)備成本的22%左右，同時也占工時的20%左右。

另外一方面是全球僅有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而EUV光刻機是進入到10nm以下工工藝的必備品，所以找ASML買到EUV光刻機，是每家芯片制造廠商必須要干的事。

目前ASML已經(jīng)推出了三代EUV光刻機，分別是TWINSCAN NXE：3400B 、NXE：3400C、NXE：3600D。這三代EUV光刻機的數(shù)值孔徑為0.33，理論上能夠生產(chǎn)的芯片精度，最多在2nm左右。

所以一旦進入到2nm以下，也就是埃米(1埃米=0.1納米)時，那么ASML還得研發(fā)更高精度的光刻機才行。而更高精度的光刻機，稱之為High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機。

事實上，ASML也早就有準備了，ASML下一代高精度的EUV光刻機型號叫做EXE：5000，數(shù)值孔徑為0.55，可用于2nm以下的芯片制造，比如1.4nm(14埃米)、1nm(10埃米)等工藝。

在2020年底的時候，就有媒體報道，ASML其實已經(jīng)基本研發(fā)完成，正在開始試產(chǎn)，預計到2022年就會商用。而近日imec正式表示，ASML的EXE：5000光刻機，會在2022年-2023年提供。

但晶圓廠商基于這臺光刻機，生產(chǎn)nm以上的芯片，至少要到2025年之后，其認為的工藝路徑進程是2025對應(yīng)A14(14?=1.4納米)，2027年為A10(10?=1nm)、2029年為A7(7?=0.7納米)。

此外，行業(yè)分析師Alan Priestley則表示，ASML的0.55NA光刻機(NXE：5000)的價格會高達3億美元(約合20億元)，是當前0.33NA光刻機的兩倍。

想必接下來，各大晶圓代工廠們，特別是臺積電、三星、intel又要搶光刻機忙了，畢竟全球僅ASML能夠生產(chǎn)，誰能提前買到0.55NA光刻機，也就相當于拿到了進入埃米級工藝的門票，就能取得先機。