本文中，小編將對MPS MP5515電源管理芯片予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

MP5515 是一款針對企業(yè)級固態(tài)硬盤、NVDIMM 和其他具有備份系統(tǒng)要求應(yīng)用的電源管理芯片。MP5515 具有輸入電流限和輸入反向電流閉鎖保護功能，它還含有一個帶單電感的雙向Buck-Boost變換器，該變換器為MPS專利產(chǎn)品，可用來儲存能量，所以當輸入電源故障時，MP5515還可作為系統(tǒng)備用電源。MP5515 還提供 I2C 通訊和模數(shù)轉(zhuǎn)換功能。通過使用 I2C 接口，用戶可以設(shè)置輸入電流限值、軟啟控制和執(zhí)行電容檢測。 MP5515 也可以監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)，比如輸入電壓、輸入電流、存儲電壓、溫度，和提供錯誤的中斷指示。

內(nèi)部輸入電流限模塊可防止系統(tǒng)啟動期間的浪涌電流，而反向電流閉鎖功能則可以防止備用能量流向 VIN 端口。MPS 取得的能量存儲和釋放管理控制電路專利，可以最大限度地降低了存儲電容的要求。它將輸入電壓升到更高的備用電壓，并且在輸入中斷的情況下，能將能量釋放到系統(tǒng)總線并保持一段時間。

MP5515 最大限度地減少了標準外部元器件的使用，采用 30-引腳 QFN (5mmx5mm)封裝。

MP5515 是 QFN-30 (5mmx5mm) 封裝的能源備份和管理單元。 MP5515 為典型的固態(tài)驅(qū)動器或硬盤驅(qū)動器應(yīng)用提供了非常緊湊和高效的能源管理解決方案。 MPS 獲得專利的無損儲能和釋放管理電路使用雙向升降壓轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)最佳能量傳輸，并提供最具成本效益的儲能解決方案。 集成升壓轉(zhuǎn)換器提高了能量備用電壓水平。后備反饋電阻分壓器設(shè)置后備電壓。如果輸入突然關(guān)閉，內(nèi)部降壓轉(zhuǎn)換器將能量從后備電容器轉(zhuǎn)移到總線，并在系統(tǒng)消耗后備電容器的能量時保持總線電壓。 MP5515 還具有 I2C 接口。可以使用該接口 寫入控制命令和監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)。一個集成的 ADC 轉(zhuǎn)換器可轉(zhuǎn)換電壓、電流和溫度傳感器信號。

當 VIN 功率高于其欠壓鎖定 (UVLO) 閾值時，VCC 和 I2C 接口被啟用。 經(jīng)過上電復位延遲時間后，如果VCC準備好且VIN比VB高0.2V，則VIN到VB的隔離MOSFET(ISOFET)導通，總線電容從0V充電到VIN，由DVDT控制壓擺率。

當 DVDT 電壓飽和時，備用升壓轉(zhuǎn)換器解鎖并可通過寄存器位啟用。在啟動升壓轉(zhuǎn)換器之前有一個約 1.2ms 的延遲時間定時器，以確保 ISOFET 完全開啟。 默認情況下啟用備用升壓轉(zhuǎn)換器。在預充電期間，存儲電壓用大約 350mA 的涓流電流充電。一旦儲能電壓接近VB，升壓開關(guān)電路啟動，儲能電壓升壓調(diào)節(jié)至目標電壓。

啟動期后，內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器自動將備用電壓調(diào)節(jié)至設(shè)定值。 MP5515 使用突發(fā)模式來最小化轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 當存儲電壓低于設(shè)定電壓時，突發(fā)模式啟動并為存儲電容器充電。 在升壓期間，升壓開關(guān)電流限制和低側(cè) MOSFET (LS-FET) 控制升壓。 當 LS-FET 導通時，電感電流增加，直到達到 ICH 設(shè)置的峰值電流水平。 達到峰值電流水平后，LS-FET 在設(shè)定的最短關(guān)斷時間內(nèi)關(guān)斷。在此最短關(guān)斷時間結(jié)束時，如果反饋電壓保持低于 0.8V 內(nèi)部參考電壓，則 LS-FET 再次導通。 否則，MP5515 會等到電壓降至參考電壓以下，然后再打開 LS-FET。 在升壓模式下，高邊MOSFET(HS-FET)不導通，電感電流通過HS-FET的體二極管傳導。升壓開關(guān)電流限制由 ICH 電阻器設(shè)置(正常應(yīng)用推薦使用 0.5A 至 2A)。 通過浮動 ICH，升壓開關(guān)峰值電流默認設(shè)置為 2A，ICH 位 = 11(對于典型的 12V 輸入和 10μH 電感應(yīng)用條件)。MP5515 為 VSTRG 應(yīng)用了過壓保護 (OVP) 功能。 如果 FBS 上 VSTRG 的反饋電壓超過 1.1 x VFBS-REF，MP5515 將關(guān)閉升壓轉(zhuǎn)換器的 LS-FET，直到 VSTRG 降至調(diào)節(jié)電壓。沒有必要給 STRG 添加一個電壓高于 VSTRG 調(diào)節(jié)電壓的外部電源。

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