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[導(dǎo)讀]今天,在競爭激烈的時代,產(chǎn)品設(shè)計師面臨的挑戰(zhàn)是保持領(lǐng)先地位,而不僅僅是與時俱進。這提高了系統(tǒng)設(shè)計人員通過差異化產(chǎn)品進行創(chuàng)新的賭注。

 1.前言

今天,在競爭激烈的時代,產(chǎn)品設(shè)計師面臨的挑戰(zhàn)是保持領(lǐng)先地位,而不僅僅是與時俱進。這提高了系統(tǒng)設(shè)計人員通過差異化產(chǎn)品進行創(chuàng)新的賭注。


一種重要的創(chuàng)新方式是采用高密度設(shè)計。在推動更小尺寸解決方案的過程中,電源系統(tǒng)設(shè)計人員現(xiàn)在專注于功率密度問題——功率轉(zhuǎn)換器電路單位面積或體積的輸出功率。


用于高密度的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器印刷電路板 (PCB) 布局的最明顯示例與功率級組件布局和布線有關(guān)。仔細布局可以實現(xiàn)更好的開關(guān)性能、更低的組件溫度和減少的電磁干擾 (EMI) 特征??紤]圖 1 中的功率級布局和原理圖。


 

1:四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器功率級布局和原理圖

 2.布局要點

在我看來,這些是設(shè)計高密度 DC/DC 轉(zhuǎn)換器時的挑戰(zhàn):

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組件技術(shù)。元件技術(shù)的進步是降低整體功耗的關(guān)鍵,尤其是在對濾波器無源元件尺寸減小至關(guān)重要的更高開關(guān)頻率下。例如,功率 MOSFET 在硅和封裝方面取得了持續(xù)的進步,最顯著的是引入了具有極低寄生參數(shù)的氮化鎵 ( GaN ) 功率器件。與此同時,磁性元件的性能已經(jīng)獨立提高,盡管速度可以說落后于功率半導(dǎo)體??刂?IC 的謹慎布局 - 具有靠近 MOSFET 的集成自適應(yīng)柵極驅(qū)動器- 在許多情況下,無需使用功耗緩沖器或柵極電阻器組件進行開關(guān)節(jié)點電壓壓擺率調(diào)整。

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熱設(shè)計。雖然高密度布局通常有利于轉(zhuǎn)換效率,但它可能會造成熱性能瓶頸。在更小的占位面積中相同的功耗變得站不住腳。組件溫度升高加劇了對更高故障率和可靠性的擔憂。放置在 PCB 頂部的低剖面功率 MOSFET - 不受較高組件(如電感器和電解電容器)的氣流影響 - 有助于通過對流氣流提高熱性能。對于圖 1 中的轉(zhuǎn)換器,電感器和電解液特意位于多層 PCB 的底部,因為如果放置在頂部,它們會阻礙熱傳遞。

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電磁干擾性能EMI 法規(guī)遵從性是產(chǎn)品設(shè)計周期中的一個重要里程碑。高密度設(shè)計通常幾乎沒有空間可用于 EMI 濾波。然而,緊湊的布局改善了輻射發(fā)射以及對傳入干擾的免疫力。兩個基本步驟是最小化包含高 di/dt 電流的環(huán)路面積(參見圖 1 中的白色電流路徑)并減少具有高 dv/dt 電壓的表面積(參見圖 1 中的 SW1 和 SW2 銅多邊形)。

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高密度 PCB 設(shè)計流程。顯然,電源系統(tǒng)設(shè)計人員開發(fā)和磨練他們的 PCB 設(shè)計技能非常重要。盡管布局職責通常委派給布局專家,但工程師仍負有審查設(shè)計并在其上簽字的最終責任。

3.設(shè)計基本步驟

DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 PCB 設(shè)計流程中的基本步驟是:

1.選擇 PCB 結(jié)構(gòu)和層疊規(guī)格。

2.從原理圖中識別高 di/dt 電流回路和高 dv/dt 電壓節(jié)點。

3.執(zhí)行功率級組件布局和放置。

4.放置控制IC,完成控制部分布局。

5.執(zhí)行關(guān)鍵的走線布線,包括 MOSFET 柵極驅(qū)動、電流檢測和輸出電壓反饋。

6.設(shè)計電源 GND 平面。


4.總結(jié)經(jīng)驗/規(guī)則

DC-DClayout非常重要,會直接影響到產(chǎn)品的穩(wěn)定性與EMI效果,總結(jié)經(jīng)驗/規(guī)則如下:
       1、處理好反饋環(huán)(對應(yīng)上圖中R1-R2-R3-IC_FB&GND),反饋線不要走肖特基下面,不要走電感L1)下面,不要走大電容下面,不要被大電流環(huán)路包圍,必要時可在取樣電阻并個100pF的電容增加穩(wěn)定性(但瞬態(tài)會受到一點影響);
       2、反饋線寧可細不要粗,因為線越寬,天線效應(yīng)越明顯,影響環(huán)路的穩(wěn)定性。一般用6-12mils的線;

   3、所有電容盡可能靠近IC;
       4、電感按規(guī)格書指標的120-130%的容量選取,不可過大,過大會影響效率和瞬態(tài);
       5、電容按規(guī)格書的150%的容量選取。如果是用貼片陶瓷電容,如果用22uF,用兩個10uF并聯(lián)會更好。若對于成本不敏感,電容可用更大些。特別提示:輸出電容,若是用鋁電解電容,千萬記得要用高頻低阻的,不可隨便放個低頻濾波電容!
       6、盡可能縮小大電流環(huán)路的包圍面積。如果不方便縮小,用敷銅的方式變成一條窄縫。


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