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[導讀]隨著全球芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,芯片產(chǎn)業(yè)的重要性與日遞增。與常規(guī)的科技產(chǎn)品不同,芯片往往需要集合全球產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)供應,才能完成最終環(huán)節(jié)的量產(chǎn)。

隨著全球芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,芯片產(chǎn)業(yè)的重要性與日遞增。與常規(guī)的科技產(chǎn)品不同,芯片往往需要集合全球產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)供應,才能完成最終環(huán)節(jié)的量產(chǎn)。

在美修改相關(guān)規(guī)則之后,芯片產(chǎn)品的全球化運作就開始受到影響,臺積電、三星等晶圓代工企業(yè)由于無法實現(xiàn)自由出貨,進一步導致了全球芯片的代工產(chǎn)能出現(xiàn)緊缺。

在這樣的局面之下,國產(chǎn)芯片的本土化制造占比,也得到了進一步的提升。中芯國際等晶圓代工企業(yè),紛紛就芯片代工產(chǎn)能進行提升。

如果能利用現(xiàn)有芯片制造工藝生產(chǎn)硅量子芯片,必將大大縮短實用型量子計算系統(tǒng)的落地周期

英特爾與QuTech發(fā)布聯(lián)合聲明,表示已經(jīng)在負責量產(chǎn)英特爾處理器芯片的制造設(shè)施中生產(chǎn)出首塊可以實現(xiàn)量子邏輯門的硅量子芯片。

雙方表示,此舉或?qū)槲磥砬Ъ?、乃至萬級量子比特實用系統(tǒng)的實現(xiàn)打開大門。

根據(jù)英特爾的介紹,其工程師與來自QuTech的科學家們開展合作,共同在位于俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾D1晶圓廠中成功制造出第一塊大規(guī)模硅量子比特芯片,而且使用的300毫米晶圓與英特爾量產(chǎn)芯片晶圓高度相似。

QuTech是一家由代爾夫特理工大學(TU Delft)與荷蘭應用科學研究組織(TNO)合作建立的企業(yè),專注于量子計算研究。

英特爾指出,此次雙方已經(jīng)成功在單一晶圓上制造出超過10000個陣列及多個硅自旋量子比特,良品率超過95%,而且量子比特數(shù)及良品率均高于現(xiàn)有量子比特制造工藝。

目前量子計算仍處于早期發(fā)展階段,而研究人員所測試的各類架構(gòu)往往需要大量量子比特以保障系統(tǒng)可靠性。除此之外,門保真度(即衡量單一量子比特無誤差度的指標)也很重要。

可以看到,大規(guī)模制造量子比特的能力將成為推進量子計算突破的重要一步。如果英特爾等芯片制造商多年來開發(fā)并調(diào)優(yōu)出的傳統(tǒng)硅芯片制造工藝也能服務于量子芯片,那么千級甚至萬級量子比特實用系統(tǒng)也將不再遙遠。此次英特爾與QuTech發(fā)布的聯(lián)合聲明,正是朝著這個目標發(fā)起的首輪沖擊。

英特爾量子硬件總監(jiān)James Clarke表示,“我們的研究證明,全尺寸量子計算機不僅可以實現(xiàn)、而且完全能夠在現(xiàn)有芯片工廠中進行生產(chǎn)。我們期待與QuTech繼續(xù)保持合作,利用我們在硅芯片制造領(lǐng)域的專業(yè)知識釋放出量子計算硬件的全部潛力?!?

這項研發(fā)已經(jīng)發(fā)表在《自然電子學》雜志上。文章摘要部分指出,將工業(yè)半導體制造工藝用于量子門生產(chǎn),代表著硅量子點式量子計算技術(shù)的重要進步。在此之前,這類制造工藝高度依賴于電子束光刻,因此產(chǎn)量低且均勻性差。

根據(jù)QuTech的解釋,當前的量子比特芯片往往需要在無塵室中制造,使用的工具已經(jīng)針對靈活的設(shè)計變更及短迭代周期做出了優(yōu)化,但在可靠性上仍有所不足。工業(yè)半導體制造工藝則擁有更出色的可靠性表現(xiàn),有望補全量子比特芯片的這一制造短板。

QuTech博士研究員、論文一作Anne-Marije Zwerver表示,“工業(yè) 制造技術(shù)與之前大家使用的量子點樣本制造技術(shù)完全不同?!?

其中的一大關(guān)鍵差異,在于工業(yè)半導體制造會遵循可靠且嚴格的圖案化設(shè)計規(guī)則,但這些規(guī)則能否適配量子比特元件的布局一直沒有答案。研究人員也一直不清楚量子比特的相干性能否經(jīng)受得住化學機械拋光等工業(yè)硅芯片制造工藝中的常規(guī)操作。

雖然英特爾與QuTech均將這一發(fā)現(xiàn)視為重大突破,但其中似乎仍有不少等待解答的問題。至少在短時間內(nèi),我們還不太可能看到英特爾生產(chǎn)線批量產(chǎn)出硅量子比特芯片。

報告還提到,雖然現(xiàn)有方案還存在著設(shè)計缺陷、量子比特性能可擴展性較差等現(xiàn)實挑戰(zhàn),但英特爾與QuTech建立的這套全流程300毫米晶圓集成生產(chǎn)線已經(jīng)開辟出一條大量實驗、不斷加快開發(fā)速度的光明道路。

報告總結(jié)道,“此次證實的硅自旋量子比特與工業(yè)半導體生產(chǎn)設(shè)施的兼容性,讓我們看到了未來擴展并建立高容錯、全棧量子計算機方面的無限可能?!?

英特爾上周還透露,他們將向美國能源部阿貢國家實驗室(ANL)提供量子計算測試臺設(shè)備,由此邁出實踐落地的重要一步。

眼看國產(chǎn)芯片的發(fā)展速度越來越快,部分美企也開始計劃撤離中國。據(jù)國內(nèi)媒體爆料,美國半導體巨頭美光科技,已經(jīng)對外宣布撤離中國,并且解散了其位于中國上海的研發(fā)中心DRAM設(shè)計部門。

同時,美光還計劃帶走40多名核心的技術(shù)人員,為其提供移民美國的資格,并且,連同其家屬都可以一同移民到美國。在美光撤離之后,另一家芯片巨頭英特爾,也傳來了有關(guān)退出中國市場的消息。

有消息稱,美正在要求英特爾等芯片公司退出中國市場,并且,放棄在中國內(nèi)地建設(shè)新工廠的計劃。對此,英特爾CEO正式表態(tài):“英特爾不會退出中國市場,目前正在推進中國內(nèi)地新工廠的建設(shè),實現(xiàn)芯片在當?shù)毓S的生產(chǎn)?!?

同時,英特爾CEO還表示,中國半導體市場是全球增長率最高的市場,如果英特爾想要成為全球最大的半導體供應商,就必須加入到中國市場。

此前,為了加快全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈向美進行轉(zhuǎn)移,美還公布了價值520億美元的補貼計劃,用于扶持在美設(shè)立工廠的芯片企業(yè)。英特爾卻依舊堅持在中國內(nèi)地設(shè)立代工廠,可以說是美最不愿看到的情況之一。

那么,為什么英特爾會堅持在中國建設(shè)工廠,而不是將新工廠選址在美國呢?

首先,臺積電張忠謀就曾有過表態(tài)“由于美芯片產(chǎn)業(yè)的不完整,在美國本土生產(chǎn)芯片,其成本將會是原來的六倍?!庇⑻貭柤哟髢?nèi)地工廠的投資,實際上是為了降低自己芯片的生產(chǎn)成本,以獲取更多的利潤。

其次,就目前國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)而言,已經(jīng)陸續(xù)出現(xiàn)了可以替代英特爾CPU的國產(chǎn)芯片。英特爾若是退出中國市場,只會讓自己的潛在競爭對手,以更快的速度進行追趕。

加大在內(nèi)地工廠的投資,則有益于其遏制競爭對手的發(fā)展,進一步占據(jù)中國處理器市場的份額。

最后,英特爾目前仍舊依賴于外界的芯片代工渠道,在臺積電、三星的美國工廠完工之前。英特爾選擇將芯片工廠設(shè)立在美本土,只會增加產(chǎn)品的倉儲、運輸成本,這一點也會讓企業(yè)的運作存在更大的風險。

臺積電(TSMC)表示,要到 2025 年下半年或者可能在 2025 年底才會開始生產(chǎn) 2nm 節(jié)點,這預示著屆時競爭格局將會發(fā)生轉(zhuǎn)變。

這家臺灣芯片代工廠在近日舉行的第一季度財報電話會議上公布了 2nm 節(jié)點(正式命名為 N2)的時間表。臺積電在 2024 年末的風險生產(chǎn)之后,預計在 2025 年中后投入生產(chǎn),采用 2nm 生產(chǎn)的裸片將會在 2026 年通過量產(chǎn)交付給設(shè)計人員,這就意味著,這些芯片最早也要到 2026 年才能用于手機、PC 和服務器。就在臺積電公布這一消息的幾天之前,英特爾剛剛宣布將重振代工業(yè)務,公布了下一代 18A 節(jié)點將于 2024 年下半年準備投產(chǎn)的計劃,比之前給出的 2025 年時間表提前了數(shù)月時間。由于 A 是 ngstr ms 的縮寫,所以 18A 代表著這將是 1.8nm 的工藝。

有趣的是,這是否意味著英特爾將打敗臺積電,憑借著可抗衡臺積電的制造工藝進入市場?對此我們保持懷疑態(tài)度,盡管我們有理由相信市場競爭將變得越來越激烈,如果事情進展順利的話,英特爾可能會在 2025 年迎頭趕上甚至是處于領(lǐng)先。

英特爾公司首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 堅持認為,英特爾將憑借 18A 節(jié)點成為工藝性能上的領(lǐng)導者,最近透露有關(guān)英特爾將提前數(shù)月開始生產(chǎn)的消息,表明英特爾現(xiàn)在是信心滿滿。

與此同時,臺積電首席執(zhí)行官 CC Wei 在財報電話會議上表示,預計 2nm 節(jié)點將為 TSMC 芯片設(shè)計人員提供 " 最好的技術(shù)、成熟度、性能和成本 " ——盡管比英特爾 18A 節(jié)點投產(chǎn)要晚一些。

半導體咨詢公司 IC Knowledge 的負責人 Scotten Jones 在最近一項研究中指出,英特爾最近在節(jié)點開發(fā)方面的提速讓他相信,英特爾可能實現(xiàn) " 逆襲 ",憑借 18A 節(jié)點在性能上超越競爭對手臺積電和三星。

如果真的如此,這將標志著英特爾有望扭轉(zhuǎn)此前因為 10nm 和 7nm 上的錯誤導致制造工藝落后于臺積電和三星的競爭格局?;蛘哌@至少標志著 Jones 本人的觀點發(fā)生了轉(zhuǎn)變,此前他認為英特爾根本沒有機會迎頭趕上。

他這樣寫道:" 總而言之,我們相信英特爾能夠在代工廠陷入困境的時候,大幅加快他們的工藝開發(fā)進程。雖然我們預計英特爾不會在這個期間重新贏得密度上的領(lǐng)先優(yōu)勢,但我們確實相信英特爾可以重新奪回性能上的領(lǐng)先優(yōu)勢。"

Jones 是根據(jù)英特爾、臺積電和三星給出的最新時間表,以及這幾家廠商對新節(jié)點預期性能改進做出了這一系列分析。上周 Jones 發(fā)布這一分析結(jié)果的時候,臺積電尚未給出有關(guān) 2nm 節(jié)點的官方時間表,當時 Jones 表示,他認為 2nm 有望在 2025 年到貨,這與臺積電后來在財報電話會議上給出的時間大體一致。

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