PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進 M1H SiC MOSFET 技術。最近的進步實現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導通電阻。

為了提高每個逆變器的額定功率并降低系統(tǒng)成本，開發(fā)人員越來越多地將 1500 V 直流鏈路集成到他們的應用中。另一方面，基于 1500 V DC 的系統(tǒng)存在重大設計問題，例如在高 DC 電壓下快速切換，需要多級拓撲。結果，出現(xiàn)了具有大量零件的復雜設計。英飛凌科技股份公司擴大了其 CoolSiC 產(chǎn)品組合，包括高壓解決方案，為下一代太陽能、電動汽車充電和儲能系統(tǒng)鋪平了道路。

CoolSiC產(chǎn)品組合已擴展至包括 2 kV碳化硅(SiC) MOSFET 和 2 kV SiC 二極管，適用于高達 1500 V DC 的應用。

英飛凌的 Peter Friedrichs 參加 PCIM Europe 2022

“我們現(xiàn)在通過引入 2KV 技術來實現(xiàn)的目標是顯著提高燃料購買率，”英飛凌 SiC 副總裁 Peter Friedrichs 表示。“這對于引入 Robo 解決方案進行安裝尤為重要。能夠以非常高的功率生成出色的系統(tǒng)將改變游戲規(guī)則，”他補充道。

Friedrichs 還表示，在開發(fā)這一新產(chǎn)品組合時，該公司考慮了一些進給率要求，特別是對宇宙射線應力的要求。

新型 SiC MOSFET 結合了低開關損耗和高阻斷電壓，非常適合 1500 V DC 系統(tǒng)。對于漏源導通電阻，新的 2 kV CoolSiC 技術具有較低的 RDS(on) 值。二極管堅固的機身也適合硬開關。由于宇宙射線，該技術的 FIT 率比 1700 V SiC MOSFET 低十倍。由于柵極電壓工作范圍寬，這些器件也易于使用。

擴展的 CoolSiC 產(chǎn)品組合提供 2 kV SiC MOSFET，以及 2kV SiC 二極管，適用于高達 1500 V DC 的應用。新型 SiC MOSFET 將低開關損耗和高阻斷電壓結合在一個器件中，可以最佳地滿足 1500 V DC 系統(tǒng)的要求。新的 2 kV CoolSiC 技術提供低漏源導通電阻 (R DS(on)) 值。此外，堅固的體二極管適用于硬開關。與 1700 V SiC MOSFET 相比，該技術可實現(xiàn)足夠的過壓裕度，并提供比 1700 V SiC MOSFET 低十倍的由宇宙射線引起的 FIT 率。此外，擴展的柵極電壓工作范圍使器件易于使用。

這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近推出的名為 M1H 的 SiC MOSFET 技術。最新進展實現(xiàn)了顯著更大的柵極電壓窗口，從而提高了給定裸片尺寸的導通電阻。同時，更大的柵極電壓窗口提供了對柵極驅動器和布局相關電壓峰值的高魯棒性，即使在高開關頻率下也沒有任何限制。英飛凌提供一系列功能隔離高達 2.3 kV 的 EiceDRIVER 柵極驅動器，以支持 2 kV SiC MOSFET。

2 kV CoolSiC MOSFET 的樣品現(xiàn)在以 EasyPACK 3B 和 62mm 模塊形式提供，隨后以新的高壓分立 TO247-PLUS 封裝形式提供。此外，英飛凌還提供具有 2.3 kV 隔離能力的 EiceDRIVER 的設計生態(tài)系統(tǒng)。計劃于 2022 年第三季度開始生產(chǎn) Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)，這是一款具有 4 個升壓電路的功率模塊，用作 1500 V 光伏串逆變器的 MPPT 級，62mm 模塊采用半橋配置(3, 4, 6 mΩ) 將于 2022 年第四季度推出。